全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競(jìng)相生產(chǎn)所謂的“2納米”處理器芯片，為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。

分析師們?nèi)匀徽J(rèn)為臺(tái)積電保持其在該領(lǐng)域的全球霸主地位，但三星電子和英特爾已將該行業(yè)的下一次飛躍視為縮小差距的機(jī)會(huì)。

幾十年來(lái)，芯片制造商一直致力于制造更加緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小，能耗越低，速度也越高。如今，“2納米”和“3納米”等術(shù)語(yǔ)被廣泛用作每一代新一代芯片的速記，而不是半導(dǎo)體的實(shí)際物理尺寸。

任何在下一代先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)技術(shù)領(lǐng)先地位的公司都將處于主導(dǎo)地位，該行業(yè)去年的全球芯片銷(xiāo)售額遠(yuǎn)超 5000 億美元。由于對(duì)支持生成人工智能服務(wù)的數(shù)據(jù)中心芯片的需求激增，預(yù)計(jì)這一數(shù)字將進(jìn)一步增長(zhǎng)。

據(jù)兩位直接了解討論情況的人士透露，在全球處理器市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位的臺(tái)積電已經(jīng)向蘋(píng)果和英偉達(dá)等一些最大客戶展示了其“N2”（即 2 納米）原型的工藝測(cè)試結(jié)果。

但兩名與三星關(guān)系密切的人士表示，這家韓國(guó)芯片制造商正在提供其最新 2 納米原型的降價(jià)版本，以吸引包括 Nvidia 在內(nèi)的大牌客戶的興趣。

美國(guó)對(duì)沖基金 Dalton Investments 分析師 James Lim 表示：“三星認(rèn)為 2 納米是游戲規(guī)則的改變者?！?“但人們?nèi)匀粦岩伤芊癖扰_(tái)積電更好地執(zhí)行遷移?！?/p>

前市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英特爾也大膽宣稱(chēng)將在明年年底前生產(chǎn)下一代芯片。這可能會(huì)使其重新領(lǐng)先于亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，盡管人們對(duì)這家美國(guó)公司產(chǎn)品的性能仍存疑慮。

臺(tái)積電表示 N2 芯片將于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)，通常會(huì)首先推出移動(dòng)版本，蘋(píng)果是其主要客戶。PC 版本以及專(zhuān)為更高功率負(fù)載設(shè)計(jì)的高性能計(jì)算芯片將在稍后推出。

蘋(píng)果最新的旗艦智能手機(jī) iPhone 15 Pro 和 Pro Max 于今年 9 月推出，是首批采用臺(tái)積電全新 3 納米芯片技術(shù)的大眾市場(chǎng)消費(fèi)設(shè)備。

隨著芯片變得越來(lái)越小，從一代或“節(jié)點(diǎn)”工藝技術(shù)過(guò)渡到下一代工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)日益加劇，這增加了臺(tái)積電失步的可能性。

臺(tái)積電向英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》表示，其 N2 技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，有望在 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，一旦推出，在密度和能源效率方面將成為業(yè)界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)”。

但 Isaiah Research 副總裁 Lucy Chen 指出，遷移到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本正在上升，而性能的改進(jìn)卻已趨于穩(wěn)定?！癧轉(zhuǎn)向下一代]對(duì)客戶不再那么有吸引力，”Chen說(shuō)。

專(zhuān)家強(qiáng)調(diào)，距離量產(chǎn)還需要兩年的時(shí)間，初期出現(xiàn)的問(wèn)題是芯片生產(chǎn)過(guò)程中很自然的一部分。

根據(jù)咨詢公司 TrendForce 的數(shù)據(jù)，三星在全球先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的份額為 25%，而臺(tái)積電的份額為 66%，三星內(nèi)部人士看到了縮小差距的機(jī)會(huì)。這家韓國(guó)企業(yè)集團(tuán)去年是第一家開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 或“SF3”芯片的公司，也是第一家轉(zhuǎn)向稱(chēng)為“Gate-All-Around”(GAA) 的新型晶體管架構(gòu)的公司。

據(jù)兩位知情人士透露，美國(guó)芯片設(shè)計(jì)商高通公司計(jì)劃在其下一代高端智能手機(jī)處理器中使用三星的“SF2”芯片。這將標(biāo)志著高通將其大部分旗艦移動(dòng)芯片從三星 4 納米工藝轉(zhuǎn)移到臺(tái)積電同等工藝之后的命運(yùn)逆轉(zhuǎn)。

三星表示：“我們已做好準(zhǔn)備，到 2025 年實(shí)現(xiàn) SF2 的量產(chǎn)。” “由于我們是第一個(gè)跨越并過(guò)渡到 GAA 架構(gòu)的公司，因此我們希望從 SF3 到 SF2 的進(jìn)展能夠相對(duì)順利。”

分析師警告說(shuō)，雖然三星是第一家將 3nm 芯片推向市場(chǎng)的公司，但它一直在努力解決“良率”問(wèn)題，即生產(chǎn)出來(lái)的芯片中被認(rèn)為可以交付給客戶的比例。

這家韓國(guó)公司堅(jiān)稱(chēng)其 3 納米良率有所提高。但據(jù)兩位接近三星的人士透露，其最簡(jiǎn)單的 3nm 芯片的良率僅為 60%，遠(yuǎn)低于客戶預(yù)期，并且在生產(chǎn)相當(dāng)于蘋(píng)果 A17 Pro 或 Nvidia 圖形處理單元等更復(fù)雜的芯片時(shí)，良率可能會(huì)進(jìn)一步下降。

研究公司 SemiAnalysis 的首席分析師迪倫·帕特爾 (Dylan Patel) 表示：“三星試圖實(shí)現(xiàn)這些巨大的飛躍?！?“他們可以宣稱(chēng)他們想要的一切，但他們?nèi)匀粵](méi)有發(fā)布合適的 3 納米芯片?！?/p>

首爾祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體工程教授 Lee Jong-hwan 補(bǔ)充說(shuō)，三星還遭受了這樣一個(gè)事實(shí)：其智能手機(jī)和芯片設(shè)計(jì)部門(mén)是其代工部門(mén)生產(chǎn)的邏輯芯片的潛在客戶的激烈競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

 “三星的結(jié)構(gòu)引起了許多潛在客戶對(duì)可能的技術(shù)或設(shè)計(jì)泄露的擔(dān)憂，”李說(shuō)。

與此同時(shí)，前市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英特爾正在技術(shù)會(huì)議上推廣其下一代“18A”節(jié)點(diǎn)，并向芯片設(shè)計(jì)公司提供免費(fèi)測(cè)試生產(chǎn)。這家美國(guó)公司表示將于 2024 年底開(kāi)始生產(chǎn) 18A，這可能使其成為第一家轉(zhuǎn)向下一代的芯片制造商。

但臺(tái)積電首席執(zhí)行官 CC Wei 似乎并不擔(dān)心。他在 10 月份表示，根據(jù)這家臺(tái)灣公司的內(nèi)部評(píng)估，其最新的 3 納米變體（已上市）在功率、性能和密度方面可與英特爾 18A 相媲美。

三星和英特爾都希望從希望減少對(duì)臺(tái)積電依賴(lài)的潛在客戶中受益，無(wú)論是出于商業(yè)原因還是出于對(duì)中國(guó)對(duì)臺(tái)灣潛在威脅的擔(dān)憂。今年7月，美國(guó)芯片制造商AMD首席執(zhí)行官表示，除了臺(tái)積電提供的制造能力之外，該公司還將“考慮其他制造能力”，因?yàn)樗非蟾蟮摹办`活性”。

咨詢公司 RHCC 首席執(zhí)行官 Leslie Wu 表示，需要 2 納米級(jí)別技術(shù)的主要客戶正在尋求將芯片生產(chǎn)分散到多個(gè)代工廠?！皢渭円蕾?lài)臺(tái)積電風(fēng)險(xiǎn)太大?！?/p>

但伯恩斯坦亞洲半導(dǎo)體分析師馬克·李 (Mark Li) 質(zhì)疑，“與效率和進(jìn)度等因素相比，[地緣政治]因素的意義有多大，尚有爭(zhēng)議。臺(tái)積電在成本、效率和信任方面仍然具有優(yōu)勢(shì)。”

半導(dǎo)體芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。