近期，有關(guān)IGBT缺貨的消息不時(shí)被爆出。甚至有消息稱，車規(guī)級IGBT供需缺口已接近50％。對此，雷光寅辟謠，IGBT雖然供不應(yīng)求，但實(shí)際情況并沒有這么夸張。事實(shí)上，IGBT缺貨問題此前就長期存在。早在2021年，就有數(shù)據(jù)顯示，我國IGBT供需缺口超過1億只。進(jìn)入2023年后，IGBT缺貨情況仍未能好轉(zhuǎn)，目前車規(guī)IGBT產(chǎn)品供不應(yīng)求，現(xiàn)有產(chǎn)能已基本售罄，保供壓力較大，新擴(kuò)產(chǎn)訂單已被下游廠商提前鎖定。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，供需錯(cuò)配是造成IGBT持續(xù)缺貨的重要原因。首航新能源CEO印榮方指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每年以8%~10%的增速擴(kuò)張，而光伏和儲能則是按照30~50%的增速擴(kuò)張。再加上新能源汽車的爆發(fā)式增長，這就導(dǎo)致下游需求增速遠(yuǎn)超上游供給增速，造成整個(gè)市場IGBT供需緊張。芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)認(rèn)為：“本輪IGBT缺貨的主要原因是新能源車興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點(diǎn)。”
IGBT產(chǎn)品供不應(yīng)求的另一大“瓶頸”是上游晶圓廠、封裝產(chǎn)能吃緊。業(yè)內(nèi)人士透露，本輪缺貨，并未吸引太多6英寸、8英寸晶圓廠加入IGBT擴(kuò)產(chǎn)行列。大部分6英寸、8英寸的晶圓廠折舊，由于成本效益問題，很少有6英寸、8英寸晶圓廠會(huì)擴(kuò)大IGBT的產(chǎn)能。此外，氮化鎵、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體的市場火熱，也改變了晶圓廠的路線，使得IGBT產(chǎn)量受到擠壓?！半m然已有部分12英寸的晶圓廠已經(jīng)開始生產(chǎn)IGBT，但產(chǎn)能調(diào)節(jié)仍需要時(shí)間，IGBT的短缺預(yù)計(jì)將持續(xù)到2024年?！痹摌I(yè)內(nèi)人士稱。在雷光寅看來，中國企業(yè)未能深度參與到IGBT全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈中是造成供需錯(cuò)配的重要原因之一。“我國IGBT長期以來依賴進(jìn)口，此前車規(guī)級IGBT進(jìn)口產(chǎn)品一度占到9成。近年來，我國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，特別是新能源汽車產(chǎn)業(yè)在過去5到10年增長了近50%，去年產(chǎn)銷同比增長甚至超過90%。這是海外廠商所無法預(yù)料的，因此沒有辦法及時(shí)擴(kuò)產(chǎn)。此外，海外廠商對市場擴(kuò)張一般采取保守態(tài)度，也不會(huì)輕易擴(kuò)產(chǎn)?！崩坠庖赋?。“國外廠家的產(chǎn)能擴(kuò)張跟不上行業(yè)的快速發(fā)展，也是供需失衡的原因。”一位光伏從業(yè)者告訴《中國電子報(bào)》記者。此前，IGBT市場長期被積累深厚的國外公司占據(jù)，英飛凌、富士電機(jī)、安森美、東芝、意法半導(dǎo)體等公司占據(jù)了絕大部分市場。然而，IGBT市場的持續(xù)缺貨為中國企業(yè)提供了機(jī)遇，去年開始，中國的IGBT企業(yè)開始大量地接到來自新能源汽車側(cè)、光伏側(cè)的訂單。業(yè)內(nèi)人士表示：“半導(dǎo)體芯片聽起來好像很高端，實(shí)際上在IGBT，尤其是單管這塊本身的設(shè)計(jì)并不復(fù)雜。國產(chǎn)企業(yè)隨著出貨量的提升，工藝也比較穩(wěn)定，生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)高度自動(dòng)化，跟外資品牌量產(chǎn)出來的基本上越來越接近了。”
比亞迪半導(dǎo)體光伏逆變專用IGBT應(yīng)用場景
“目前，國內(nèi)很多企業(yè)都在做IGBT，并取得一定的成績。小功率的戶用逆變器中的IGBT已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)國內(nèi)企業(yè)供給，大功率的集中逆變器IGBT國內(nèi)供貨廠家也較多。但是大功率組串逆變器因?yàn)殡娏鬏^大，開關(guān)頻率高、功率密度高，目前國內(nèi)還沒合適的IGBT廠商，這或?qū)⒊蔀镮GBT最后攻關(guān)的方向。相信在1-2年后國內(nèi)會(huì)有合格的供方?！鄙鲜龉夥鼜臉I(yè)者說。國內(nèi)政策端的重視也是國產(chǎn)IGBT快速發(fā)展的重要推動(dòng)力之一?！吨腥A人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》要求，集中優(yōu)勢資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件和基礎(chǔ)材料等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，重點(diǎn)指出需要攻關(guān)IGBT和碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。今年一月，工業(yè)和信息化部等六部門聯(lián)合發(fā)布的《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見》指出，推動(dòng)基礎(chǔ)元器件、基礎(chǔ)材料、基礎(chǔ)工藝等領(lǐng)域重點(diǎn)突破，研究小型化、高性能、高效率、高可靠性的功率半導(dǎo)體等基礎(chǔ)電子元器件。面向光伏、風(fēng)電、儲能系統(tǒng)等，發(fā)展新能源用耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠性IGBT器件及模塊。對于IGBT未來的供應(yīng)情況，雷光寅樂觀地表示：“目前，越來越多的中國廠商開始研發(fā)、制造IGBT。經(jīng)過這幾年的歷練，相信會(huì)有更多高性價(jià)比的國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品進(jìn)入全球供應(yīng)鏈，緩解供應(yīng)短缺問題。”
IGBT功率器件清洗
為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。
目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。
以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！
Tips：
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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積，因工藝問題內(nèi)容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代，新的工藝問題也不斷出現(xiàn)，本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新，做到與時(shí)俱進(jìn)，熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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