POP芯片堆疊技術(shù)，是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)品為提高邏輯運(yùn)算功能和存儲(chǔ)空間而發(fā)展起來的一種新的高密度組裝形式。本文主要從設(shè)備技術(shù)的角度分析總結(jié)POP組裝工藝實(shí)現(xiàn)過程中的問題與對(duì)策。重點(diǎn)討論了POP組裝過程中主要工序工藝參數(shù)優(yōu)化方法和范圍，探討了工藝過程控制中應(yīng)關(guān)注的問題，這些都是確保POP芯片堆疊成功率的關(guān)鍵。

當(dāng)前PoP的趨勢(shì)和進(jìn)步

當(dāng)前的趨勢(shì)是朝向更小化和更高密度的PoP發(fā)展，封裝到封裝的互連間距有0.5mm，這類封裝要求再回流時(shí)翹曲低至50μm，這類封裝也將會(huì)使底部PoP的底部上的焊球間距轉(zhuǎn)移到0.4mm，由于高

引腳數(shù)和受限的封裝面積（目標(biāo)一般是12×12 mm或更小的封裝尺寸），需要在室溫下滿足共面規(guī)范，再回流時(shí)滿足在焊料熔點(diǎn)溫度以上的苛刻的翹曲規(guī)范。在表面組裝一側(cè)，為使微細(xì)球間距的PoP組裝和再回流同時(shí)發(fā)生，正在引入改進(jìn)的表面組裝工藝。當(dāng)今典型的表面組裝工藝包括在PCB上印刷焊膏、放置底部PoP、在熔劑內(nèi)電鍍頂部PoP焊球、在底部PoP上放置頂部PoP、在清潔干燥的空氣中通過熔爐再回流將其熔化。引入的新型工藝包含了在焊劑或焊料糊中熔化頂部封裝焊球，可以提高再回流過程中頂部到底部的封裝互連的魯棒性。

PoP的未來

新型PoP及其變化正在冉冉升起，可以解決目前傳統(tǒng)PoP的一些弱點(diǎn)。例如，隨著封裝變得越來越薄，焊球間距越來越小，一種控制PoP翹曲挑戰(zhàn)的解決方式是在組裝到PCB上之前將頂部和底部封裝組裝到一起。雖然這削弱了PoP在靈活性上的優(yōu)點(diǎn)，但是在基板組裝前進(jìn)行“預(yù)疊層”是一項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單的工藝，再回流過程中比較容易控制――再回流中PCB自身的翹曲。對(duì)預(yù)疊層PoP進(jìn)行測(cè)試，可確保它是良好的，并且能夠展現(xiàn)出比單獨(dú)的頂部或底部PoP更低的翹曲，因此制造PoP類似于在PCB上組裝一個(gè)更加傳統(tǒng)的窄間距BGA。預(yù)疊層PoP非常吸引那些現(xiàn)在能為終端客戶提供低端邏輯器件和頂部存儲(chǔ)器件的器件制造商。這種選擇吸引的不是那些經(jīng)營(yíng)移動(dòng)手持設(shè)備的終端客戶，而是期待為自己的產(chǎn)品采用PoP的客戶。

PoP堆疊芯片清洗：PoP堆疊芯片/Sip系統(tǒng)級(jí)封裝在mm級(jí)別間距進(jìn)行焊接，助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì)，較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對(duì)較大的芯片空間，影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除，清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片，達(dá)到將殘留帶離的目的。合明科技研發(fā)的清洗劑具有卓越的滲入能力，以確保芯片間殘留活性劑被徹底清除。

合明科技為您提供PoP堆疊芯片水基清洗全工藝解決方案。

針對(duì)先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗(yàn)，對(duì)于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對(duì)應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測(cè)試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測(cè)試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

想了解更多關(guān)于先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片清洗的內(nèi)容，請(qǐng)?jiān)L問我們的“先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片清洗”產(chǎn)品與應(yīng)用！