一、傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝主要工藝流程詳細(xì)描述

傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝工藝主要包括多個(gè)步驟，這些步驟共同確保了半導(dǎo)體元件的正常工作以及與外部電路的有效連接。以下是根據(jù)給定搜索結(jié)果的詳細(xì)描述：

1. 前道晶圓制造 (Front-End)

前道晶圓制造是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的第一步，它涉及到從整塊硅圓片開(kāi)始，通過(guò)多次重復(fù)的制膜、氧化、擴(kuò)散等工序，制造出三極管、集成電路等半導(dǎo)體元件及電極。這個(gè)過(guò)程還包括了照相制版和光刻等工序，最終形成所需的元器件特性。

2. 后道封裝測(cè)試 (Back-End)

后道封裝測(cè)試是半導(dǎo)體制造過(guò)程的另一重要步驟，它主要包括芯片的封裝、測(cè)試及成品入庫(kù)。在這個(gè)過(guò)程中，從硅圓片分切好的單個(gè)芯片開(kāi)始，進(jìn)行裝片、固定、鍵合聯(lián)接、塑料灌封、引出接線端子、按印檢查等工序，最終形成完整的封裝體。

3. 背面減薄

在集成電路封裝前，需要對(duì)晶圓背面多余的基體材料進(jìn)行去除，這一過(guò)程稱為晶圓背面減薄工藝。這個(gè)步驟對(duì)于后續(xù)的工藝流程至關(guān)重要，因?yàn)樗绊懙骄某叽缇?、幾何精度、表面潔凈度等?/span>

4. 晶圓切割

根據(jù)晶圓工藝制程及客戶產(chǎn)品需求，一片晶圓通常由幾百至數(shù)萬(wàn)顆小芯片組成。晶圓上的Dice之間有著40um-100um不等的間隙區(qū)分，此間隙被稱為劃片街區(qū)。為了將小芯片分離成單顆Dice，就需要采用切割的工藝進(jìn)行切割分離。

5. 晶圓貼裝

晶圓貼裝的目的是將切割好的晶圓顆粒用銀膏粘貼在引線框架的晶圓廟上，用粘合劑將已切下來(lái)的芯片貼裝到引線框架的中間燥盤(pán)上。通常是使用環(huán)氧(或聚酰亞胺)作為填充物以增加粘合劑的導(dǎo)熱性。

6. 引線鍵合

引線鍵合的目的是將晶圓上的鍵合壓點(diǎn)用極細(xì)的金線連接到引線框架上的內(nèi)引腳上，使得晶圓的電路連接到引腳。這個(gè)步驟使用的金線一端燒成小球，再將小球鍵合在第一焊點(diǎn)。

7. 塑封

塑封過(guò)程分為加熱注塑和成型兩個(gè)階段。在這個(gè)過(guò)程中，將完成引線鍵合的芯片與引線框架置于模腔中，再注入塑封化合物環(huán)氧樹(shù)脂用于包裹住晶圓和引線框架上的金線。這是為了保護(hù)晶圓元件和金線。

8. 測(cè)試

封裝完成后進(jìn)行的測(cè)試環(huán)節(jié)是確保芯片性能和可靠性的關(guān)鍵步驟。通過(guò)測(cè)試檢查芯片是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求，確保其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和性能。

以上僅為傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的主要工藝流程，實(shí)際操作中還涉及到更多的細(xì)節(jié)和質(zhì)量控制措施。這些步驟共同保證了半導(dǎo)體元件的質(zhì)量和性能，使其能夠在各種電子設(shè)備中發(fā)揮應(yīng)有的作用。

二、先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的對(duì)比

技術(shù)發(fā)展與封裝形式

傳統(tǒng)封裝

傳統(tǒng)封裝技術(shù)自三極管直插時(shí)期開(kāi)始發(fā)展，其過(guò)程包括將晶圓切割成晶粒，然后將晶粒貼合到基板架的小島上，接著通過(guò)導(dǎo)線連接晶片的接合焊盤(pán)與基板的引腳，最后用外殼進(jìn)行保護(hù)。典型封裝方式有DIP、SOP、TSOP、QFP等。

先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)是指那些較新型的封裝方式，包括但不限于倒裝(FlipChip)、凸塊(Bumping)、晶圓級(jí)封裝(Wafer-level package, WLP)、2.5D封裝(interposer, RDL等)和3D封裝(TSV)等。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)與發(fā)展趨勢(shì)

傳統(tǒng)封裝

傳統(tǒng)封裝在誕生之初只有WLP, 2.5D封裝和3D封裝幾種選擇，近年來(lái)，先進(jìn)封裝的發(fā)展呈爆炸式向各個(gè)方向發(fā)展，而每個(gè)開(kāi)發(fā)相關(guān)技術(shù)的公司都將自己的技術(shù)獨(dú)立命名注冊(cè)商標(biāo)，如臺(tái)積電的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。盡管很多先進(jìn)封裝技術(shù)只有微小的區(qū)別，大量的新名詞和商標(biāo)被注冊(cè)，導(dǎo)致行業(yè)中出現(xiàn)大量的不同種類的先進(jìn)封裝，而其誕生通常是由客制化產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)。

先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝在技術(shù)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)，例如提高加工效率、設(shè)計(jì)效率以及減少設(shè)計(jì)成本。以晶圓級(jí)封裝為例，產(chǎn)品生產(chǎn)以圓片形式批量生產(chǎn)，可以利用現(xiàn)有的晶圓制備設(shè)備，封裝設(shè)計(jì)可以與芯片設(shè)計(jì)一次進(jìn)行。這將縮短設(shè)計(jì)和生產(chǎn)周期，降低成本。此外，先進(jìn)封裝還提高了封裝效率，降低了產(chǎn)品成本。隨著后摩爾定律時(shí)代的到來(lái)，傳統(tǒng)封裝已經(jīng)不再能滿足需求。傳統(tǒng)封裝的封裝效率（裸芯面積/基板面積）較低，存在很大的改良空間。相比之下，先進(jìn)封裝以更高效率、更低成本、更好性能為驅(qū)動(dòng)。

結(jié)論

綜上所述，先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝在技術(shù)發(fā)展、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用趨勢(shì)方面存在顯著差異。隨著科技的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化，先進(jìn)封裝技術(shù)將繼續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向著更高集成度、更高效率和更低成本的方向發(fā)展。

三、芯片封裝清洗介紹

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。