一、4D毫米波雷達(dá)芯片技術(shù)發(fā)展概況

4D毫米波雷達(dá)芯片技術(shù)是當(dāng)前汽車(chē)智能化、自動(dòng)化技術(shù)發(fā)展中的一個(gè)重要領(lǐng)域，它通過(guò)提供額外的維度信息（速度和高度），使得毫米波雷達(dá)在環(huán)境感知方面的能力得到了顯著提升。這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展不僅涉及到芯片設(shè)計(jì)的進(jìn)步，還包括系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用優(yōu)化和市場(chǎng)接納程度。

1.技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)

4D成像毫米波雷達(dá)的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)包括波導(dǎo)天線(xiàn)、集成式SOC、4D成像雷達(dá)專(zhuān)用芯片組、4D成像雷達(dá)專(zhuān)用軟件、雷達(dá)算法域集中式部署、持續(xù)降本。在成本持續(xù)降低的情況下，4D成像雷達(dá)專(zhuān)用芯片組方案未來(lái)可能成為主流解決方案。

前沿技術(shù)探索

毫米波雷達(dá)芯片成本在"CMOS+SoC+AmP"的技術(shù)下硬件整體更高集成、更小體積和平臺(tái)化并減少昂貴高頻PCB的使用,較CMOSSoC/CMOS/SiGe/GaAs方案可分別節(jié)約25%/50%/70%/85%的硬件成本。 4D毫米波雷達(dá)因?yàn)槭褂酶郙MIC,將更加受益該技術(shù)組合帶來(lái)量產(chǎn)成本下降的紅利,海外4D毫米波雷達(dá)巨頭Arbe預(yù)計(jì),2021-2025年其4D毫米波雷達(dá)芯片組產(chǎn)品單價(jià)有望從1333美元下降至111美元。。

2.市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)預(yù)期

市場(chǎng)規(guī)模

根據(jù)市場(chǎng)研究報(bào)告，車(chē)載雷達(dá)整體市場(chǎng)在2021年達(dá)到了58億美元，并預(yù)計(jì)在2027年將達(dá)到128億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為14%。其中，4D毫米波雷達(dá)以及4D成像雷達(dá)的市場(chǎng)規(guī)模分別為35億美元與43億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率分別為48%與109%。

增長(zhǎng)預(yù)期

中金公司預(yù)測(cè)，未來(lái)5年中國(guó)4D成像雷達(dá)市場(chǎng)規(guī)模將迎來(lái)加速增長(zhǎng)時(shí)期，從2022年至2025年的國(guó)內(nèi)4D成像雷達(dá)市場(chǎng)的年均復(fù)合增長(zhǎng)率分別為34%、64%和88%。隨著價(jià)格下降，在中低端車(chē)型中，4D成像雷達(dá)將逐漸替代普通3D雷達(dá)；而在高端車(chē)型中，高性能4D成像雷達(dá)和激光雷達(dá)將會(huì)共存，互為補(bǔ)充。

3.產(chǎn)業(yè)鏈布局

上游芯片廠商

英飛凌、NXP、TI三家占據(jù)了毫米波雷達(dá)芯片行業(yè)近90%份額,國(guó)內(nèi)加特蘭微電子隨著中游國(guó)產(chǎn)雷達(dá)廠商崛起正加速替代海外份額。

中游整機(jī)廠商

森思泰克(定點(diǎn)和量產(chǎn)數(shù)量在國(guó)內(nèi)排名第一)、楚航科技、德賽西威、華域汽車(chē)、經(jīng)緯恒潤(rùn)、縱目科技、福瑞泰克、保隆科技、蘇州豪米波、川速微波等。

二、4D毫米波雷達(dá)芯片封裝技術(shù)概述

4D毫米波雷達(dá)芯片的封裝技術(shù)是毫米波雷達(dá)系統(tǒng)中至關(guān)重要的一環(huán)，它直接影響到雷達(dá)系統(tǒng)的性能、尺寸、安裝便利性以及成本等因素。隨著汽車(chē)智能化的發(fā)展，毫米波雷達(dá)在車(chē)輛中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，尤其是在自適應(yīng)巡航控制、盲點(diǎn)檢測(cè)、自動(dòng)緊急制動(dòng)系統(tǒng)等高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）中發(fā)揮著重要作用。

長(zhǎng)電科技的先進(jìn)封裝技術(shù)

長(zhǎng)電科技作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，已經(jīng)在4D毫米波雷達(dá)先進(jìn)封裝芯片量產(chǎn)方面取得了重要進(jìn)展。公司提供的4D毫米波雷達(dá)先進(jìn)封裝量產(chǎn)解決方案，能夠滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)L3級(jí)以上自動(dòng)駕駛的技術(shù)需求，這些解決方案包括高性能、小型化、易安裝和低成本等特點(diǎn)。

長(zhǎng)電科技在FCCSP（倒裝型）和eWLB（扇出型）這兩種業(yè)界應(yīng)用于毫米波雷達(dá)產(chǎn)品的先進(jìn)封裝方案上都有完備的技術(shù)解決方案。對(duì)于毫米波雷達(dá)收發(fā)芯片MMIC，eWLB封裝方案占據(jù)主導(dǎo)地位；而對(duì)于集成毫米波雷達(dá)收發(fā)、數(shù)字/雷達(dá)信號(hào)處理等功能的SOC芯片，則需要同時(shí)采用eWLB和FCCSP封裝技術(shù)，以滿(mǎn)足車(chē)載應(yīng)用場(chǎng)景的不同需求。

封裝技術(shù)的重要性

封裝技術(shù)不僅關(guān)系到芯片的性能表現(xiàn)，還影響到產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。例如，eWLB方案采用RDL（重布線(xiàn)層技術(shù)）的方式形成線(xiàn)路，相比采用基板的方式，能實(shí)現(xiàn)更低的寄生電阻、更薄的厚度、更低的成本。此外，長(zhǎng)電科技還在AiP（天線(xiàn)集成）封裝技術(shù)方面具備多種工藝能力，能夠在增強(qiáng)散熱、產(chǎn)品翹曲度管控方面擁有深厚的材料選擇經(jīng)驗(yàn)和工藝管控能力。

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

長(zhǎng)電科技將繼續(xù)深化在車(chē)載毫米波雷達(dá)先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的研究與開(kāi)發(fā)，旨在提供更高性?xún)r(jià)比、高集成度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案。公司計(jì)劃與更多的國(guó)際知名客戶(hù)合作，共同開(kāi)發(fā)適合于市場(chǎng)需求的新型封裝技術(shù)，推動(dòng)毫米波雷達(dá)技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展。

三、毫米波雷達(dá)芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。