一、3D封裝技術(shù)應(yīng)用前景

1. 技術(shù)概述

3D封裝技術(shù)是一種將多個芯片直接堆疊在一起，通過TSV（硅通孔）等技術(shù)來實現(xiàn)芯片間的垂直連接的封裝技術(shù)。這種封裝技術(shù)可以極大地節(jié)省空間并提高性能，因為芯片間的距離更短，數(shù)據(jù)傳輸速度更快。英特爾的Foveros封裝技術(shù)是一種3DIC技術(shù)，它允許將不同技術(shù)的IP區(qū)塊與各種存儲和I/O元件混合搭配，從而為IC設(shè)計公司提供了很大的靈活性。

 2. 應(yīng)用領(lǐng)域

3D封裝技術(shù)在多個應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。例如，它可用于高密度系統(tǒng)集成、高頻芯片封裝、MEMS傳感器封裝，以及新型MEMS傳感器的設(shè)計制造、新型玻璃基微流控芯片的制作等。此外，3D封裝技術(shù)還能更好地實現(xiàn)封裝的微型化，滿足新器件的應(yīng)用需求。

3. 發(fā)展趨勢

隨著電子產(chǎn)品朝小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向發(fā)展，3D封裝技術(shù)的應(yīng)用前景十分看好。國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS）顯示，疊層式3D封裝技術(shù)能更好實現(xiàn)封裝的微型化，其突出的優(yōu)點是：尺寸小、Si效率高，滿足新器件的應(yīng)用需求。各大廠都有自身的技術(shù)平臺，并且最近產(chǎn)出的新產(chǎn)品也不少。

 4. 機遇與挑戰(zhàn)

盡管3D封裝技術(shù)帶來了許多優(yōu)勢，但也面臨著一些挑戰(zhàn)。隨著芯片堆疊密度的不斷增長及多芯片整合的需求，大廠紛紛投入先進(jìn)封裝技術(shù)的研究，但先進(jìn)封裝要求的技術(shù)很高，因此很多大廠也相應(yīng)地在這方面投入很高的資本支出。此外，3D封裝的到來也意味著電子信息產(chǎn)業(yè)的開發(fā)思維和生產(chǎn)方式將發(fā)生一系列變革。

 綜上所述，3D封裝技術(shù)在未來的電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展中將扮演重要角色，其應(yīng)用前景十分廣闊。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的變化，也需要不斷地克服技術(shù)難題和資本支出等問題，以推動該技術(shù)的持續(xù)發(fā)展和廣泛應(yīng)用。

 二、3D封裝技術(shù)應(yīng)用

 3D封裝技術(shù)是一種先進(jìn)的集成電路制造技術(shù)，它通過在垂直方向上堆疊芯片計算模塊，實現(xiàn)了更高密度和更強性能的芯片封裝。以下是關(guān)于3D封裝技術(shù)的一些詳細(xì)信息和應(yīng)用。

 1. 英特爾的Foveros技術(shù)

英特爾的Foveros技術(shù)是一種3DIC技術(shù)，它允許在單個封裝中集成多個“芯粒”（chiplets），從而提高數(shù)據(jù)處理速度，減少能量消耗。這種技術(shù)已經(jīng)在英特爾最新完成升級的美國新墨西哥州Fab9芯片工廠投產(chǎn)，并且被認(rèn)為是該公司下一階段先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

 2. 飛凱材料的布局

 飛凱材料早在2007年就開始在半導(dǎo)體材料行業(yè)進(jìn)行布局，專注于研發(fā)、制造及銷售本土化率較低的核心關(guān)鍵材料。該公司在晶圓制造、晶圓級封裝和芯片級封裝已形成多維度的材料布局，并且近期推出的幾款產(chǎn)品都能夠很好地適配于2.5D/3D封裝技術(shù)。飛凱材料的產(chǎn)業(yè)鏈下游客戶中，包括臺積電、英特爾、日月光和Amkor，都選擇了以2.5D/3D先進(jìn)封裝技術(shù)的改善去進(jìn)一步提升芯片性能。

 3. 沃格光電的TGV技術(shù)

 沃格光電的TGV技術(shù)在2.5D/3D垂直封裝載板產(chǎn)品領(lǐng)域具備量產(chǎn)可行性，并持續(xù)進(jìn)行技術(shù)開發(fā)和突破。部分產(chǎn)品已通過行業(yè)終端企業(yè)驗證，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。目前該產(chǎn)品的市場化應(yīng)用將由湖北通格微公司進(jìn)行批量生產(chǎn)。

 4. 中科院合肥研究院的研究突破

 中科院合肥研究院智能所陳池來課題組李山博士等取得重要技術(shù)突破，團(tuán)隊攻克了高均一性玻璃微孔陣列制造、玻璃致密回流、玻璃微孔金屬高致密填充等技術(shù)難題，發(fā)展了一種面向3D先進(jìn)封裝的玻璃金屬穿孔工藝（ThroughGlassVia,TGV）。這種技術(shù)具有優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)性能，在射頻芯片、先進(jìn)MEMS傳感器、高密度系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。

 5. 3D封裝技術(shù)的優(yōu)點

 3D封裝技術(shù)的優(yōu)點在于它能夠提供更多的連接密度和更好的性能，同時也有助于降低功耗、提高性能和優(yōu)化成本。這種技術(shù)的發(fā)展將推動系統(tǒng)微型化、多功能化的發(fā)展，尤其是在人工智能、自動駕駛、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的加持下，三維（3D）集成先進(jìn)封裝的需求越來越強烈。

 三、3D先進(jìn)封裝清洗劑介紹

芯片級封裝在nm級間距進(jìn)行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達(dá)到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進(jìn)封裝清洗劑、半導(dǎo)體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過程整個領(lǐng)域。合明科技先進(jìn)封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級封裝清洗劑、SIP系統(tǒng)級封裝清洗劑、倒裝芯片清洗劑、POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

總的來說，3D封裝技術(shù)在當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著重要的角色，它的應(yīng)用前景十分廣闊。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，我們可以期待3D封裝技術(shù)在未來為芯片性能的提升帶來更多的可能性。