功率器件的作用是實(shí)現(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率 器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢，可實(shí)現(xiàn) 功率模塊小型化、輕量化。相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET 與硅基MOSFET 相比，其尺寸可大幅減小至原來的 1/10，導(dǎo)通電阻可至少降 低至原來的 1/100。相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET 較硅基 IGBT 的總 能量損耗可大大降低 70%。

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢，有助于實(shí)現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高 效化，它廣泛應(yīng)用于新能源車的主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和非 車載充電樁等關(guān)鍵電驅(qū)電控部件。

一、碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)市場的發(fā)展情況：

另外我們再從碳化硅（SiC）功率器件的市場規(guī)模來分析一下，碳化硅（SiC）的功率器件，它最大的特點(diǎn)就是高電壓、高頻、低消耗等，這就是它獨(dú)特的優(yōu)勢。它可以最大限度地提高能源的轉(zhuǎn)換效。隨著技術(shù)突破以及成本的降底，碳化硅（SiC）功率器件將會(huì)大規(guī)模的應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車以及充電樁等不同的領(lǐng)域。根據(jù)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)顯示分析來看，增長態(tài)勢也是相當(dāng)快速。

隨著碳化硅（SiC）行業(yè)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件的市場規(guī)模功率器件的市場競爭格局也發(fā)生的變生。但是仍然是以海外的巨頭為主要導(dǎo)向。下面我們通過可視化分析，可以看到。意法半導(dǎo)體占比較大，超過了40%。

目前在我國碳化硅（SiC）的應(yīng)用規(guī)模也在不斷的增長，從分析的情況來看，隨著新能源工業(yè)的發(fā)展，以及充電樁等新不同領(lǐng)域的發(fā)展，從而帶動(dòng)了我國碳化硅（SiC）功率器件應(yīng)用的發(fā)展。

二、第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

三、功率器件芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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