因為專業(yè)
所以領(lǐng)先
芯片作為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的核心,對于國家的科技實力和經(jīng)濟發(fā)展至關(guān)重要。最近,中國在芯片領(lǐng)域取得了重大突破,開啟了中國科技創(chuàng)新和自主發(fā)展的新時代。這一突破不僅在世界范圍內(nèi)引起了巨大的轟動和關(guān)注,也展示了中國芯片產(chǎn)業(yè)的崛起和實力,成為國際科技舞臺上的重要一筆。
據(jù)清華大學(xué)公眾號10月9日消息,近期,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的發(fā)展。該研究成果日前發(fā)表在《科學(xué)》上。
憶阻器存算一體學(xué)習(xí)芯片及測試系統(tǒng) (圖片來源:清華大學(xué))
記憶電阻器,是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能“記憶”電阻狀態(tài),被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。
面向傳統(tǒng)存算分離架構(gòu)制約算力提升的重大挑戰(zhàn),吳華強、高濱聚焦憶阻器存算一體技術(shù)研究,探索實現(xiàn)計算機系統(tǒng)新范式。憶阻器存算一體技術(shù)在底層器件、電路架構(gòu)和計算范式上全面顛覆了馮·諾依曼傳統(tǒng)計算架構(gòu),可實現(xiàn)算力和能效的跨越式提升,同時,該技術(shù)還可利用底層器件的學(xué)習(xí)特性,支持實時片上學(xué)習(xí),賦能基于本地學(xué)習(xí)的邊緣訓(xùn)練新場景。
課題組基于存算一體計算范式,創(chuàng)造性提出適配憶阻器存算一體實現(xiàn)高效片上學(xué)習(xí)的新型通用算法和架構(gòu),通過算法、架構(gòu)、集成方式的全流程協(xié)同創(chuàng)新,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片。
憶阻器芯片的研發(fā)面臨著技術(shù)挑戰(zhàn)和工程挑戰(zhàn)。
據(jù)了解,憶阻器芯片的研發(fā)涉及到材料科學(xué)、物理學(xué)、電子工程等多學(xué)科的前沿知識。在諸多技術(shù)難題中,首先要解決的是如何實現(xiàn)憶阻器件的大規(guī)模集成。通過大量實驗和理論研究,團隊提出了架構(gòu)-電路-工藝協(xié)同優(yōu)化方法,為存算一體系統(tǒng)的設(shè)計提供了指導(dǎo)。
有了大規(guī)模集成的工藝、關(guān)鍵的電路設(shè)計,如何克服底層多尺度非理想導(dǎo)致的誤差,集合成一個高效的系統(tǒng)芯片?在團隊老師和學(xué)生的共同努力下,研究提出STELLAR 架構(gòu),完成算法優(yōu)化及仿真實驗,制備出全系統(tǒng)集成的高效存算一體學(xué)習(xí)芯片,實現(xiàn)速度和能效的大幅提升。
展望未來,隨著憶阻器的存儲和計算集成芯片的進一步發(fā)展和優(yōu)化,人工智能和機器學(xué)習(xí)技術(shù)將迎來更廣闊的應(yīng)用前景。無論是在物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、智慧醫(yī)療還是智能家居等領(lǐng)域,這種新型芯片都將為高效計算和學(xué)習(xí)提供強有力的支持,推動人工智能技術(shù)的普及和發(fā)展。清華大學(xué)集成電路研究所的這一研究成果,必將為我國在芯片領(lǐng)域的自主創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐,為科技進步和國家安全提供重要保障。
消息來源:清華大學(xué)公眾號