GJB4027《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》標(biāo)準(zhǔn)解析

GJB4027《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用電子元器件破壞性物理分析(DPA)的通用方法，包括DPA程序的一般要求、管理要求以及典型電子元器件DPA試驗(yàn)與分析的詳細(xì)要求和缺陷判據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)適用于有DPA要求的軍用電子元器件。

接下來(lái)小編就給大家分享一篇關(guān)于 GJB4027《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》內(nèi)容的更新變化過(guò)程，希望能對(duì)您有所幫助！

一、起草單位的變化  

GJB4027A-2006的起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第四研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五研究所、北京航空航天大學(xué)、航天科技集團(tuán)公司第一研究院物流中心、航天科技集團(tuán)公司第五研究院元器件可靠性中心、西安電子科技大學(xué)。

GJB4027B-2021的起草單位：工業(yè)和信息花部電子第四研究院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所，北京航空航天大學(xué)，中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第一研究院物流心，中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第五研究院元器件可靠性中心。

二、標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容變化

GJB4027A-2006與GJB4027-2000相比主要變化如下：

（1）本標(biāo)準(zhǔn)在第5 章中增加了專用射頻元件，熔斷器，加熱器三個(gè)大項(xiàng)。同時(shí)在光電器件、電連接器、線圈和變壓器、石英晶體和壓電元件和集成電路門(mén)類中增加了光電混合集成電路、電連接器接觸件、印刷片式電感器、晶體振蕩器和塑封半導(dǎo)體集成電路子門(mén)類。此外，將半導(dǎo)體分立器件的“無(wú)鍵合引線二極管”、“晶體管和有鍵合引線二極管”兩類改為“無(wú)鍵合引線軸向引線玻璃外殼和玻璃鈍化封裝二極管”、“無(wú)鍵合引線螺安裝和軸向引線金屬外殼二極管”、“表面安裝和外引線同向引出晶體管、二極管”共三類。

（2）將GJB4027-2000《軍用電子元器件破壞性物理分方法》中的1.3條應(yīng)用指南調(diào)整到本標(biāo)準(zhǔn)的4.6條，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的引用、剪裁提供了指導(dǎo)。

（3）對(duì)引用的通用規(guī)范版本進(jìn)行了更新。

（4）對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行了修訂。

GJB4027B-2021與GJB4027A-2006相比主要變化如下：

（1）在半導(dǎo)體分立器件、集成電路和熔斷器門(mén)類中增加了有鍵合絲塑封半導(dǎo)體分立器件、倒裝焊半導(dǎo)體集成電路和膜式表面安裝型熔斷器子門(mén)類。

（2）在每個(gè)工作項(xiàng)目程序的外部目檢后增加封裝表面鍍涂材料分析，在每個(gè)工作項(xiàng)目的檢查程序最后增加結(jié)構(gòu)基線(適用時(shí))。

（3）增加附錄 A，將GB4027A-2006中4.2.7的DPA數(shù)據(jù)記錄中DPA報(bào)告摘要表、DPA項(xiàng)目結(jié)果匯總表和DPA 試驗(yàn)記錄表調(diào)整至附錄A。增加附錄B，封裝表面鍍涂材料分析方法。

（4）將“無(wú)鍵合絲玻璃外殼、玻璃鈍化二極管”改為“無(wú)鍵合絲玻璃外殼、玻璃鈍化和塑料封裝二極管”。

三、工作項(xiàng)目的變化

（1）GJB4027-2000包括13大類37小類

（2）GJB4027A-2006包括16大類49小類

（3）GJB4027B-2021包括16大類52小類

四 、封裝表面鍍涂材料分析要求

GJB4027B-2021附錄B規(guī)定了對(duì)元器件內(nèi)部和外部的封裝材料進(jìn)行禁用材料分析的詳細(xì)要求。分析的目的是驗(yàn)證合金和鍍層至少含有 3%(重量百分比)的鉛，和鋅表面鍍覆及和鋅合金的電鍍層是否能夠防止鋅升華。附錄B給出了兩種分析方法：X射線熒光光譜法（XRF）、掃描電鏡能譜分析法（SEM-EDS），規(guī)定了設(shè)備測(cè)量鉛錫合金和電鍍層中鉛含量的儀器、技術(shù)、判據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)。

五、總結(jié)

（1）GJB4027B-2021標(biāo)準(zhǔn)中部分試驗(yàn)和方法標(biāo)準(zhǔn)未引用最新發(fā)布的版本，如引用的GJB548還是2005年的B版，未引用同樣是2021年發(fā)布的C版，新舊版本標(biāo)準(zhǔn)在判據(jù)或程序等方面的差異，在試驗(yàn)執(zhí)行過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生爭(zhēng)議。

（2）增加了塑封半導(dǎo)體分立器件工作項(xiàng)目，開(kāi)展塑封半導(dǎo)體分立器件DPA有了依據(jù)。

（3）增加了倒裝焊半導(dǎo)體集成電路工作項(xiàng)目，開(kāi)展倒裝焊半導(dǎo)體集成電路DPA有了依據(jù)。

（4）密封半導(dǎo)體集成電路、塑封半導(dǎo)體集成電路和倒裝焊半導(dǎo)體集成電路在外部目檢中對(duì)引出端增加了焊球/焊柱的檢查，終于跟上了集成電路發(fā)展趨勢(shì)。

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