晶圓清洗的步驟及晶圓級封裝清洗劑介紹

晶圓清洗是指將晶圓在不斷被加工成形及拋光處理的過程中，由于與各種有機物、氧化物及金屬離子接觸而產(chǎn)生的污染物清洗的工藝。

晶圓清洗目的是去除晶圓表面的各種污染物，確保后續(xù)工藝步驟能夠在潔凈的表面上進行。晶圓清洗（Wet Clean）是半導(dǎo)體制造工藝中至關(guān)重要的步驟之一.隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機物、金屬離子或氧化物殘留都可能對器件性能產(chǎn)生重大影響，進而影響半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性。

晶圓清洗工藝包括以下幾個主要步驟：

1、預(yù)清洗（Pre-Clean）：

預(yù)清洗的目的是去除晶圓表面的松散污染物和大顆粒，這通常通過去離子水（DI Water）沖洗和超聲波清洗來完成。去離子水能夠初步去除晶圓表面的顆粒和溶解的雜質(zhì)，而超聲波清洗則利用空化效應(yīng)破壞顆粒與晶圓表面的結(jié)合力，使顆粒易于脫落。

2、化學(xué)清洗（Chemical Cleaning）：

化學(xué)清洗是晶圓清洗工藝的核心步驟之一，它利用清洗劑的化學(xué)力去除晶圓表面的有機物、金屬離子和氧化物。

3、漂洗：

在使用清洗劑清洗后，晶圓還需要進行漂洗，以確保表面沒有殘留的化學(xué)物質(zhì)。漂洗主要是使用去離子水進行徹底的沖洗。

4、干燥：

清洗后的晶圓必須迅速干燥，以防止水痕或污染物的重新附著。常用的干燥方法包括旋轉(zhuǎn)甩干和氮氣吹掃，前者通過高速旋轉(zhuǎn)將晶圓表面的水分甩除，后者通過干燥氮氣的吹拂來確保表面的完全干燥。

晶圓級封裝清洗劑W3210介紹

晶圓級封裝清洗劑W3210是合明自主開發(fā)的PH中性配方的電子產(chǎn)品焊后殘留水基清洗劑。適用于清洗 PCBA 等不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留，包括 SIP、WLP 等封裝形式的半導(dǎo)體器件焊劑殘留。由于其 PH 中性，對敏感金屬和聚合物材料有絕佳的材料兼容性。

晶圓級封裝清洗劑W3210的產(chǎn)品特點：

1、PH 值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出絕佳的材料兼容性。

2、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可適用于噴淋、超聲工藝。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于 PH 中性，減輕污水處理難度。

晶圓級封裝清洗劑W3210的適用工藝：

W3210水基清洗劑適用于在線式或批量式噴淋清洗工藝，也可應(yīng)用于超聲清洗工藝。

晶圓級封裝清洗劑W3210產(chǎn)品應(yīng)用：

W3210可以應(yīng)用于不同類型的焊劑殘留的水基清洗劑。產(chǎn)品為濃縮液，清洗時可根據(jù)殘留物的清洗難易程度，用去離子水稀釋后再進行使用，安全環(huán)保使用方便，是電子精密清洗高端應(yīng)用的理想之選。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：