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導(dǎo)熱硅脂在 車規(guī)級IGBT中的應(yīng)用與IGBT功率模塊清洗介紹

發(fā)布日期:2023-07-13 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):3814

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。

可靠的散熱設(shè)計與通暢的散熱通道,可以快速有效地減少模塊內(nèi)部熱量,以滿足模塊可靠性指標(biāo)的要求。

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目前,車規(guī)級IGBT功率模塊一般采用液冷散熱,而液冷散熱又分為間接液冷散熱和直接液冷散熱。

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為:芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。

即芯片為發(fā)熱源,熱量主要通過DBC基板、平底散熱基板、導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)至液冷板,液冷板再通過液冷對流的方式將熱量排出。

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上圖顯示了導(dǎo)熱硅脂在 IGBT 典型應(yīng)用中的作用。

硅芯片被焊接到直接鍵合銅 (DBC) 層上,該層由夾在兩個銅層之間的氮化鋁層組成。該 DBC 層焊接到銅底板上,導(dǎo)熱硅脂用作于底板和散熱器之間的界面。導(dǎo)熱硅脂的厚度可達(dá)100微米(粘合線厚度或BLT),并且根據(jù)配方,它的導(dǎo)熱系數(shù)在0.4到10W/m·K之間。

目前高端市場的導(dǎo)熱硅脂基本上被國外壟斷,國內(nèi)硅脂很少能和國外硅脂PK,主要的一個原因是國內(nèi)的導(dǎo)熱硅脂熱阻相對高于國外的導(dǎo)熱硅脂的熱阻,所以很難進(jìn)入高端市場。

我們要具體的了解導(dǎo)熱硅脂,我們可以先了解兩個比較重要的參數(shù)。

導(dǎo)熱系數(shù):是指在穩(wěn)定傳熱條件下,1m厚的材料,兩側(cè)表面的溫差為1度(℃),在1小時,通過1平方米面積傳遞的熱量,單位為瓦/米·度(W/m·K);導(dǎo)熱系數(shù)越高,導(dǎo)熱能力就越強(qiáng)。

熱阻:當(dāng)熱量在物體內(nèi)部以熱傳導(dǎo)的方式傳遞時,遇到的阻力稱為熱阻;兩款相同導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱硅脂,熱阻越低,導(dǎo)熱效果越好。

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IGBT功率器件清洗

為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題,世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用,促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前,大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗,隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此,合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案,采用合明科技專利配方,可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜,更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料;配方材料親水性強(qiáng),清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹,希望可以幫到您!


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