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華天科技推出eSinC也會引領先進封裝的技術突破與Chiplet芯片封裝清洗介紹

發(fā)布日期:2023-06-28 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數:5884

Chiplet的快速發(fā)展必然對封裝技術提出更高的要求。當單個硅片被分割成多個芯粒,再把這些芯粒封裝在一起,由于單顆硅片上的布線密度和信號傳輸質量遠高于不同芯粒,這就要求必須要發(fā)展出高密度、大帶寬布線的先進封裝技術,盡可能提升在多個Chiplet之間布線的數量并提升信號傳輸質量。

當前,Chiplet所采用的先進封裝主要有以下三種形式:一是在有機基板上直接進行系統集成, 二是在有機基板上嵌入硅橋后進行集成,三是采用2.5D封裝工藝,如臺積電的CoWoS工藝。這三種封裝形式都需要有機基板,因為高端基板的產能欠缺,給封裝廠造成了很大的挑戰(zhàn),也形成了很高的技術門檻。

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eSinC工藝的優(yōu)勢在此完全體現。由于不需要有機基板,eSinC克服了上述三種封裝形式門檻高的問題,因此成為封裝廠實現Chiplet封裝的重要方案,更有利于整個技術的推廣。

為了適應Chiplet技術發(fā)展的節(jié)奏,華天科技還為eSinC技術規(guī)劃了三個發(fā)展目標。首先,隨著集成的芯片數量不斷增多,單顆芯片的尺寸也越來越大,封裝尺寸會逐漸增大;第二,TSV深寬比越來越大,pitch尺寸減小;第三,RDL線寬線距越來越小,層數會越來越多,以應對芯片功能強大以后1/0密度不斷增加的趨勢。

Chiplet在國內剛剛起步,業(yè)界很多用于Chiplet的3D封裝技術都是以臺積電的3D fabric為藍本進行技術創(chuàng)新。但是,華天科技推出的eSinC技術屬于獨立自主開發(fā)的Chiplet封裝技術,無論是對公司打開Chiplet高端封裝技術領域,還是對國內發(fā)展Chiplet產業(yè)都具有重大意義。未來,在此技術基礎上進一步結合fine pitch RDL、hybrid bond、高級基板等平臺技術,可以進一步提升封裝密度,建立完整的Chiplet封裝平臺。

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發(fā)展獨立的封裝技術,對國內整個Chiplet封裝產業(yè)鏈也有很大的拉動作用,特別是國產化裝備和國產化材料將會迎來新的發(fā)展機遇。當前,先進封裝所需的關鍵設備,如刻蝕機、PVD等和部分材料已實現了國產化,但還有一些后端設備和關鍵材料需要攻關,而以eSinc技術為引領,將會加快這些環(huán)節(jié)的國產化進度。同時,eSinC也會引領先進封裝的技術突破,如Fine pitch RDL,Interposer、混合鍵合、大顆FCBGA技術等

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在全球科技競爭日益激烈的大環(huán)境和國內半導體關鍵技術面臨封鎖的背景下,要發(fā)展我們獨立自主的Chiplet技術,要在技術上實現創(chuàng)新,以eSinc這樣的獨創(chuàng)技術為引導,進一步推動先進封裝關鍵設備、關鍵材料的國產化,改變關鍵設備、關鍵材料依賴進口的被動局面,早日實現供應鏈的自主可控。


Chiplet芯片封裝清洗:合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。


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以上為本公司一些經驗的累積,因工藝問題內容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產業(yè)的不斷更新換代,新的工藝問題也不斷出現,本公司自成立以來不斷的追求產品的創(chuàng)新,做到與時俱進,熟悉各種生產復雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。

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