芯片制造流程之晶圓的制備
芯片制造流程之晶圓的制備
半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)是硅元素,而自然界中硅含量最高、最容易獲得的便是無(wú)窮無(wú)盡的沙子(其主要化學(xué)成分為二氧化硅)。沙子是廉價(jià)的,但是將其轉(zhuǎn)變成昂貴的半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程無(wú)比復(fù)雜。在芯片制造過(guò)程中,使用的硅一般是以硅晶圓(即圓形的硅片)的形式存在。
今天小編就給大家分享一篇關(guān)于芯片制造過(guò)程中晶圓制備的相關(guān)內(nèi)容,希望能對(duì)您有所幫助!
晶圓的制備分為四個(gè)階段:
1、礦石到高純氣體的轉(zhuǎn)變
在這一階段中,硅礦石與化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),形成硅化物氣體,如四氯硅烷(SiCl4)或三氯硅烷(SiHCl3),而其他金屬的氯化物則為固體,留在殘?jiān)?,從而完成了硅的提純?/p>
2、氣體到多晶的轉(zhuǎn)變
硅烷氣體與氫氣發(fā)生反應(yīng),被還原成半導(dǎo)體級(jí)的硅,這樣的硅純度高達(dá)99.9999999%,是地球上最純的物質(zhì)之一。但是此時(shí)得到的硅是以多晶的形式存在。
3、多晶到單晶、摻雜晶棒的轉(zhuǎn)變
在芯片中所需要的硅是單晶硅,因此需要將多晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉Ч?。生長(zhǎng)單晶硅一般有三種方法:直拉法、液體掩蓋直拉法和區(qū)熔法。
4、晶棒到晶圓的制備
晶體從單晶爐里出來(lái)以后,首先會(huì)使用鋸子鋸掉首尾,然后在滾磨機(jī)上滾磨到合適的直徑,在通過(guò)X射線定好晶向后,沿著其軸向滾磨出一個(gè)參考面。
最后,使用有金剛石涂層的內(nèi)圓刀片或者線切割把晶圓從晶體上切下來(lái)。接下來(lái),將會(huì)使用磨片和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的方法對(duì)晶圓表面進(jìn)行平整和拋光。晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化,氧化層用以保護(hù)晶圓表面,防止在運(yùn)輸過(guò)程中的劃傷和污染。
以上是關(guān)于芯片制造流程之晶圓制備的相關(guān)內(nèi)容了,希望能對(duì)您有所幫助!
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