環(huán)氧塑封器件開封方法與芯片封裝前清洗劑介紹
一、環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式:
環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法,化學(xué)方法是最廣泛使用的方法,又分手動開封和機(jī)械開封兩種。
(1)手動開封:
發(fā)煙硝酸或發(fā)煙硝酸和發(fā)煙硫酸的混酸。125~150℃烘焙約一小時,驅(qū)除水汽(建議);X射線透射技術(shù)確定芯片在器件中的位置和大小等離子刻蝕法(建議);用機(jī)械法磨去頂蓋一部分或在芯片上方開個圓孔,直到離芯片非常薄為止(建議)加熱發(fā)煙硝酸至60~70℃,用吸液管滴到黑膠表面,待反應(yīng)后用丙酮沖洗、烘干,重復(fù)上述步驟直至芯片完全暴露;去離子水超聲波振蕩清洗,最后甲醇超聲波振蕩清洗,直至表面干凈。手動開封的優(yōu)點是方便、便宜;缺點是小尺寸封裝、新型封裝類型開封效果不理想,對操作員的經(jīng)驗、技巧依賴性較高。
(2)自動開封:
環(huán)氧封裝噴射腐蝕(Jet Etch),即對器件進(jìn)行部分開封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管腳和內(nèi)引線和壓焊點的完整性及電學(xué)性能完整,為后續(xù)失效定位和檢測做準(zhǔn)備。Jet Etch工作原理為在器件的芯片位置處的環(huán)氧樹脂塑封料表面,用機(jī)械法磨去一部分,或在芯片上方開一個與芯片面積相當(dāng)?shù)目?,直到離芯片非常薄為止。將器件倒置并使芯片位置中心正對Jet Etch機(jī)臺的出液孔,加熱的發(fā)煙硝酸或脫水/發(fā)煙硫酸,亦可為混酸,經(jīng)由內(nèi)置真空泵產(chǎn)生的負(fù)壓,通過小孔噴射到芯片上方的塑封料進(jìn)行局部腐蝕,直到芯片完全露出。加熱的發(fā)煙硝酸或脫水硫酸對塑料有較強(qiáng)的腐蝕作用,但對硅片,鋁金屬化層和內(nèi)引線的腐蝕作用緩慢,操作時合理設(shè)定液體流量、流速以及所用酸的選擇,綜合考慮封裝類型,芯片的大小、厚薄等因素,在成功暴露芯片時能保證器件電性性能的完整性,如圖1和圖2所示。
圖1、美國 Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動開封機(jī)
圖3、Jet Etch開封芯片表面SEM影像
二、芯片封裝清洗:合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
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以上為本公司一些經(jīng)驗的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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