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小芯片和混合鍵合開辟新領(lǐng)域與先進(jìn)封裝芯片清洗介紹

發(fā)布日期:2023-06-16 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):3551
超越摩爾定律的創(chuàng)新:小芯片和混合鍵合開辟新領(lǐng)域

先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體創(chuàng)新、增強(qiáng)功能、性能和成本效益的關(guān)鍵。臺(tái)積電、英特爾和三星等大公司正在采用小芯片和異構(gòu)集成 策略,利用 AP 技術(shù)以及前端擴(kuò)展工作。
chiplet 方法 將 SoC 芯片劃分為多個(gè)芯片,僅縮放具有先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片,并使用 2.5D 或 3D 封裝將它們集成。這提高了產(chǎn)量并降低了成本。混合鍵合 (HB:Hybrid Bonding) 是另一個(gè) 重要趨勢(shì),可實(shí)現(xiàn)金屬-金屬和氧化物-氧化物面對(duì)面堆疊,且凸點(diǎn)間距小于10 μm。它用于 CIS 和 3D NAND 堆疊等應(yīng)用的晶圓到晶圓混合鍵合,以及用于 PC、HPC 和數(shù)據(jù)中心的邏輯上內(nèi)存堆疊 3D IC 中的 3D SoC 的持續(xù)開發(fā)。
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臺(tái)積電憑借其CoWoS 生產(chǎn)和多樣化產(chǎn)品組合(包括 3D SoIC 、  InFO_SoW和 CoWoS變體)在高端先進(jìn)封裝領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位 。英特爾在2022年大力投資先進(jìn)封裝,但宏觀經(jīng)濟(jì)因素影響了其2023年的核心業(yè)務(wù)。因此,我們預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年在先進(jìn)封裝方面的投資將超過(guò)英特爾 。三星為 HBM 和 3DS 產(chǎn)品、扇出面板級(jí)封裝和 硅中介層提供先進(jìn)封裝解決方案,從而實(shí)現(xiàn)高端性能產(chǎn)品。
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與傳統(tǒng)封裝相比,先進(jìn)封裝需要不同的設(shè)備、材料和工藝,例如新的基板材料、光刻工藝、激光鉆孔、CMP 和 KGD 測(cè)試。AP 參與者進(jìn)行了大量投資 來(lái)開發(fā)和引入這些進(jìn)步。與先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成推動(dòng)了半導(dǎo)體創(chuàng)新,提高了整體系統(tǒng)性能,同時(shí)降低了成本。

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芯片封裝基板的助焊劑清洗:

半導(dǎo)體芯片封裝過(guò)程中通常會(huì)使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料,這些輔料在焊接過(guò)程或多或少都會(huì)有部分殘留物,還包括制程中沾污的指印、汗液、角質(zhì)和塵埃等污染物。同時(shí),半導(dǎo)體組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標(biāo)簽等相當(dāng)脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料對(duì)清洗劑的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工藝解決方案,可在清洗芯片封裝基板的焊接殘留物和污垢的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜,保障下一道工序的金屬界面結(jié)合強(qiáng)度;對(duì)芯片半導(dǎo)體基材、金屬材料擁有優(yōu)良的材料兼容性,清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑W3300!

以上便是芯片封裝基板清洗,封裝基板的主要結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)技術(shù)的介紹,希望可以幫到您!

 


Tips:

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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問(wèn)題內(nèi)容廣泛,沒(méi)有面面俱到,只對(duì)常見(jiàn)問(wèn)題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問(wèn)題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。

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