IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅動功率小和飽和壓降低等。

IGBT兼具了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的優(yōu)點，如高輸入阻抗、低驅動功耗、快速開關能力等，以及BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點，如高電流承載能力、低導通壓降等。因此，IGBT在功率電子領域具有廣泛的應用前景。IGBT模塊主要由以下幾個部分組成：IGBT芯片、鍵合導線、封裝結構（基板、散熱、硅凝膠等）、驅動與保護電路

圖片拍攝與比亞迪半導體展臺

IGBT硅凝膠是一種低應力，十分柔軟的有機硅凝膠。灌封到IGBT模組上后，它的低應力，凝膠柔軟性，不僅能夠達到比較理想的抗沖擊、減震效果，同時，凝膠表面的粘性，粘接在IGBT模組上，也能很好的達到防水防潮的保護效果。不僅如此，IGBT硅凝膠優(yōu)異的電氣絕緣性能，如高介電強度和體積電阻率，也能能夠保護IGBT模塊。

IGBT器件是功率變流裝置的核芯，廣泛應用于電動/混合動力汽車、軌道交通、變頻家電、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領域，是電力電子最重要的大功率主流器件之一。

（五） IGBT功率器件清洗

為應對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

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