功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理與功率半導(dǎo)體器件清洗介紹
一、功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
1 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
2 功率MOSFET的工作原理
功率MOSFET的基本特性
開通過(guò)程：開通延遲時(shí)間td(on) —— up前沿時(shí)刻到uGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時(shí)刻間的時(shí)間段；
上升時(shí)間tr —— uGS從uT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時(shí)間段； iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。 開通時(shí)間ton —— 開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) —— up下降到零起，Cin通過(guò)Rs和RG放電，uGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時(shí)，iD開始減小為零的時(shí)間段。 下降時(shí)間tf —— uGS從UGSP繼續(xù)下降起，iD減小，到uGS?！?/p> 關(guān)斷時(shí)間toff —— 關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間之和。
三、功率器件清洗
為應(yīng)對(duì)能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問(wèn)題，世界各國(guó)均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對(duì)這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件功率半導(dǎo)體器件密切相關(guān)。
目前，大量的功率半導(dǎo)體器件仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足功率半導(dǎo)體器件清洗。對(duì)此，合明提出新型的功率半導(dǎo)體器件清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗功率半導(dǎo)體器件凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗功率半導(dǎo)體器件功率器件。
以上便是功率半導(dǎo)體器件功率器件清洗劑廠,功率半導(dǎo)體器件功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！
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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積，因工藝問(wèn)題內(nèi)容廣泛，沒(méi)有面面俱到，只對(duì)常見(jiàn)問(wèn)題作分析，隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代，新的工藝問(wèn)題也不斷出現(xiàn)，本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新，做到與時(shí)俱進(jìn)，熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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