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先進(jìn)封裝是超越摩爾定律的關(guān)鍵賽道,先進(jìn)封裝市場(chǎng)前途無(wú)量

發(fā)布日期:2023-05-04 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):5167

先進(jìn)封裝是超越摩爾定律的關(guān)鍵賽道,先進(jìn)封裝市場(chǎng)前途無(wú)量

后摩爾時(shí)代,芯片制造面臨物理極限與經(jīng)濟(jì)效益邊際提升的雙重挑戰(zhàn),摩爾定律日趨放緩,業(yè)內(nèi)轉(zhuǎn)而關(guān)注系統(tǒng)級(jí)芯片集成,通過先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)滿足系統(tǒng)微型化、多功能化,成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新趨,“Chiplet”技術(shù)面市后,封裝技術(shù)愈發(fā)復(fù)雜,IC設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)都面臨新的挑戰(zhàn)。

與其他封裝平臺(tái)相比,高端性能封裝的單位數(shù)量很小,但由于其復(fù)雜性導(dǎo)致平均售價(jià)較高,因此它產(chǎn)生的收入比例更高。預(yù)計(jì)到 2027 年收入將超過145億美元,高于 2022 年的 26億美元,這就意味著其在2022到2027年間的CAGR為41%。

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這種健康增長(zhǎng)歸因于包括云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、人工智能、自動(dòng)駕駛、個(gè)人計(jì)算和游戲在內(nèi)的高性能計(jì)算終端系統(tǒng)的增加。這些應(yīng)用都需要用更復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)更大、更復(fù)雜的芯片,這些節(jié)點(diǎn)會(huì)隨著成本的增加而擴(kuò)展。這些趨勢(shì)促使半導(dǎo)體行業(yè)制定具有高端封裝選項(xiàng)的系統(tǒng)級(jí)擴(kuò)展策略,而不僅僅是擴(kuò)展 FE 高級(jí)節(jié)點(diǎn)。

通過將大型單片 SoC 裸片拆分成更小的芯片并僅縮放最關(guān)鍵的電路組件,小芯片以及異構(gòu)集成是降低縮放成本的一種選擇。這只能通過使用具有高連接密度、高帶寬和良好功率效率的 2.5D 和 3D 集成技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此,由于研發(fā)和生產(chǎn)方面的重大進(jìn)步,微凸塊、硅通孔 (TSV)、銅柱和混合鍵合正在推動(dòng)高端性能應(yīng)用中的 IO 密度和功能集成達(dá)到新高度。

3D SoC(包括die-to-wafer和die-to-die混合封裝)則被看作是10μm以下pitch技術(shù)的下一個(gè)突破點(diǎn)。作為前端封裝技術(shù),這使得高端系統(tǒng)級(jí)性能與3D DRAM的更密集的3D IC堆疊、異構(gòu)集成封裝和封裝分區(qū)SoC die成為可能。領(lǐng)先的供應(yīng)商,尤其是臺(tái)積電、三星和英特爾,都以此為目標(biāo),提供或計(jì)劃提供尖端的混合鍵合解決方案。這也許是半導(dǎo)體和封裝世界之間的真正接觸點(diǎn)。

先進(jìn)封裝正在向前端靠攏。證據(jù)在于代工廠和 IDM,因?yàn)樗鼈冋诔蔀槭袌?chǎng)上最先進(jìn)的2.5D 和 3D 封裝解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。OSAT 正努力順應(yīng)這一趨勢(shì),提供創(chuàng)新的先進(jìn)封裝解決方案,以幫助解決摩爾定律放緩帶來(lái)的前端挑戰(zhàn),但他們要打入混合鍵合市場(chǎng)將是極其困難的,因?yàn)樗麄內(nèi)狈η岸四芰捅匾馁Y源。而在新技術(shù)+新方向領(lǐng)域,光大證券則表示,先進(jìn)封裝是超越摩爾定律的關(guān)鍵賽道,Chiplet有望成為先進(jìn)制程國(guó)產(chǎn)替代的突破口之一。隨著Chiplet小芯片技術(shù)的發(fā)展以及國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程的加速,Chiplet為國(guó)產(chǎn)替代開辟了新思路。

當(dāng)然,我們也必須承認(rèn),沒有事情是百分百的。

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先進(jìn)封裝產(chǎn)品清洗劑:

先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前,基板載板焊盤上的污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

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針對(duì)先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前,基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗(yàn),對(duì)于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況,自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品,精細(xì)化對(duì)應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端,包括有水基清洗劑和半水基清洗劑,堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在,在同等的清洗力的情況下,合明科技的兼容性較佳,兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多(測(cè)試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測(cè)試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,離子殘留低、干凈度更好。

 

 

 


Tips:

【閱讀提示】

以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對(duì)常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。

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洗板水和酒精哪個(gè)效果好洗板水分類線路板清洗光刻機(jī)Stepper光刻機(jī)Scanner光刻機(jī)助焊劑的使用方法助焊劑使用方法助焊劑使用說(shuō)明半導(dǎo)體工藝半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體清洗劑IPC標(biāo)準(zhǔn)印制電路協(xié)會(huì)國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)Chip on Substrate(CoS)封裝Chip on Wafer (CoW)封裝先進(jìn)封裝基板清洗晶圓級(jí)封裝技術(shù)助焊劑錫膏焊錫膏PCBA線路板清洗印制線路板清洗PCBA組件清洗DMD芯片DMD芯片封裝DMD是什么中國(guó)集成電路制造年會(huì)供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)集成電路制造年會(huì)助焊劑類型如何選擇助焊劑助焊劑分類助焊劑選型助焊劑評(píng)估半導(dǎo)體封裝封裝基板半導(dǎo)體封裝清洗基板清洗倒裝芯片倒裝芯片工藝清洗倒裝芯片球柵陣列封裝FCBGA技術(shù)BGA封裝技術(shù)BGA芯片清洗PCB通孔尺寸PCB通孔填充方法PCB電路板清洗GJB2438BGJB 2438B-2017混合集成電路通用規(guī)范洗板水洗板水危害助焊劑危害PCBA電路板清洗pcb金手指pcb金手指特點(diǎn)pcb金手指作用pcb金手指制作工藝pcb金手指應(yīng)用領(lǐng)域AlGaN氮化鋁鎵功率電子清洗化學(xué)蝕刻鋼網(wǎng)激光切割鋼網(wǎng)電鑄鋼網(wǎng)混合工藝鋼網(wǎng)鋼網(wǎng)清洗機(jī)鋼網(wǎng)清洗劑pcb電路板埋孔pcb電路板通孔pcb電路板清洗芯片制造芯片清洗劑芯片制造流程FPCFPC焊接工藝FPC焊接步驟扇出型晶圓級(jí)封裝芯片封裝清洗金絲鍵合球焊鍵合的工藝微波組件芯片焊后焊盤清洗GB15603-2022危險(xiǎn)化學(xué)品倉(cāng)庫(kù)儲(chǔ)存通則晶圓級(jí)封裝面板級(jí)封裝(PLP)
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