功率半導(dǎo)體十強(qiáng)榜單出爐（功率半導(dǎo)體清洗劑）

功率二極管：最傳統(tǒng)功率器件，市場空間超50億美元，受益供需關(guān)系及轉(zhuǎn)單效應(yīng)助力國廠率先突破。功率二極管作為品類中最傳統(tǒng)的功率器件，主要用于整流、開關(guān)、穩(wěn)壓等，全球市場規(guī)模超50億美元。目前市場相對分散，巨頭Vishay份額超10%，其余均不超8%，國廠揚杰科技在2%左右。國際大廠由于產(chǎn)品毛利少逐步退出，導(dǎo)致供需緊張，交貨周期延長，價格持續(xù)上揚，大陸和臺灣廠商有望憑借低成本優(yōu)勢以及產(chǎn)業(yè)扶持政策逐步占據(jù)市場，成為功率器件中率先突破的子領(lǐng)域。

Si基MOSFET：消費電子和汽車電子引領(lǐng)超70億美元市場。MOSFET將功率器件的應(yīng)用從工業(yè)應(yīng)用拓展到了4C領(lǐng)域，其中消費和汽車占比超60%。目前國際巨頭英飛凌市場份額近28%，國廠士蘭微和華微電子則分別為1.9/1.1%，并且集中在低壓MOSFET等中低端產(chǎn)品。

Si基IGBT：新能源汽車與發(fā)電占據(jù)70%產(chǎn)品需求，帶動每年超40億美元市場。IGBT集BJT與MOSFET優(yōu)點于一身，應(yīng)用拓展至新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域。國際龍頭英飛凌、三菱電機(jī)等CR4達(dá)70.8%，行業(yè)集中度高并且海外廠商優(yōu)勢明顯。國內(nèi)廠商方面，中國中車立足于動車用IGBT，產(chǎn)線滿產(chǎn)后將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊能力。嘉興斯達(dá)已開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

SiC基器件：成本高，性能優(yōu)越，高端市場滲透有望提升。第三代SiC功率器件具有高壓、高頻、高效率、低損耗等優(yōu)勢。

由于起步較早，美日歐在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中可以說是一直處于領(lǐng)先地位，日本運營知識產(chǎn)權(quán)庫的Astamuse 2021年發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，在2000年至2017年期間，美國功率半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)專利達(dá)1.3973萬件位于第一位，其次便是日本的1.2872萬件。

數(shù)據(jù)顯示，憑借著先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，美日歐占據(jù)了全球約60％的市場份額。

1、日本

先說日本，雖然此次日本企業(yè)在榜單中未能擠入前三，但卻有5家廠商入選前十的榜單，分別是排名第4的三菱電機(jī)、第5的富士電機(jī)、第6的東芝、第9的瑞薩、以及第10的羅姆。換句話說，日企占據(jù)了2021年功率半導(dǎo)體十強(qiáng)中的半席。

近幾年，日本在世界半導(dǎo)體市場上的優(yōu)勢地位正在逐漸消失，似乎已成默認(rèn)的事實，遠(yuǎn)不如上世紀(jì)80年代那樣威風(fēng)凜凜，但在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本仍擁有著一定的話語權(quán)。而日本廠商之所以能夠在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得成功，一方面是因為日本以產(chǎn)業(yè)用途等少量多品種定制需求為主，沒有卷入晶圓大口徑化帶來的設(shè)備投資競爭，可以靈活利用現(xiàn)有工廠來滿足需求。

另一方面也離不開下游龐大的工業(yè)需求支撐。在1980年代，功率半導(dǎo)體初問世的時候，較多用于工廠和成套設(shè)備，到了1990年代后半期，隨著混合動力車的增加，功率半導(dǎo)體開始不斷應(yīng)用于汽車，而日本作為那時期世界最大的汽車生產(chǎn)國和出口國，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自然也加速發(fā)展。據(jù)了解，富士電機(jī)和東芝等廠商通過開發(fā)各種配電設(shè)備以及電力轉(zhuǎn)換設(shè)備所需的功率半導(dǎo)體，自主發(fā)展了功率半導(dǎo)體技術(shù)。

2、歐洲

在2021年功率半導(dǎo)體十強(qiáng)中，歐洲占據(jù)了3席，除了第一的英飛凌和第三的意法半導(dǎo)體外，還有位于荷蘭的恩智浦。

和日本一樣，歐洲功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先優(yōu)勢也得益于下游龐大的工業(yè)需求支撐。作為早期發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地區(qū)之一，歐洲將汽車半導(dǎo)體和工業(yè)半導(dǎo)體兩個細(xì)分市場視為產(chǎn)業(yè)重點方向，并以此為基礎(chǔ)，孕育了汽車和工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨頭。在汽車用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，名列前茅的英飛凌、意法半導(dǎo)體、博世、恩智浦都屬于歐洲企業(yè)。

其中，英飛凌脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，2019年收購賽普拉斯加強(qiáng)了MCU與互聯(lián)技術(shù)的實力，如今經(jīng)過20余年的發(fā)展，已經(jīng)成長為全球功率半導(dǎo)體的絕對龍頭，其產(chǎn)品滲透到各個細(xì)分領(lǐng)域，尤其是其IGBT在新能源汽車、光伏、風(fēng)電、軌道交通和工控領(lǐng)域占據(jù)著難以撼動的壟斷地位。

意法半導(dǎo)體于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。

恩智浦由飛利浦公司創(chuàng)立，2006年宣布獨立，主攻車載通信和射頻芯片模塊，2015年3月初，以約118億美元并購飛思卡爾，一舉成為MCU領(lǐng)域的全球第一，2019年再次收購Marvell的無線連接業(yè)務(wù)，開始大力拓展射頻業(yè)務(wù)。

3、美國

再來看美國，此次除了排名第二的安森美外，威世（Vishay Intertechnology）也有上榜，排名第七。除此之外，美國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域還有力特（littelfuse）、達(dá)爾（Diodes）、萬國半導(dǎo)體（AOS）等諸多廠商。

功率半導(dǎo)體最早就是由美國貝爾實驗室于1959年研發(fā)出并將其應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域，因此美國在這個領(lǐng)域有著獨特優(yōu)勢也是毋庸置疑的。

目前，安森美已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)軍企業(yè)，產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，雖然其采用Fab-lite模式，但卻是為數(shù)不多能夠在內(nèi)部加工晶圓的功率半導(dǎo)體公司。

威世集團(tuán)成立于1962年，是世界上最重要的功率 MOSFET制造商之一，主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管，廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。

中國僅有一家入選

相比美日歐強(qiáng)勢的市占率，中國在此次榜單中僅有一家企業(yè)入選，那就是聞泰科技的安世半導(dǎo)體。安世半導(dǎo)體曾為荷蘭企業(yè)，于2019年被聞泰科技收購，2021年7月，安世半導(dǎo)體完成了對英國 Newport Wafer Fab 的 100%收購，進(jìn)一步強(qiáng)化聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)車規(guī)產(chǎn)能的布局，并于四季度啟動 Newport 代工產(chǎn)能向 IDM 自有產(chǎn)能的逐步切換。

據(jù)了解，安世半導(dǎo)體是全球分立器件IDM龍頭廠商之一，在中國功率分立器件公司中排名第一，其產(chǎn)品線中二極管晶體管產(chǎn)品居于全球排名第一，標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件產(chǎn)品居于全球排名第二，小型號 MOSFET 居于全球排名第二，車規(guī)Mos全球市場排名第二，更是僅次于英飛凌。

目前，安世半導(dǎo)體建立了兩個新的半導(dǎo)體全球研發(fā)中心，一個在馬來西亞檳城，另一個位于上海，專注于功率MOSFET?？梢哉f，聞泰科技旗下的安世半導(dǎo)體已成為我國在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品布局最完善的廠商。

除了安世半導(dǎo)體外，我國IDM廠商中有功率半導(dǎo)體營收規(guī)模最大的華潤微電子，以及在IGBT領(lǐng)域排名領(lǐng)先的比亞迪半導(dǎo)體；還有以MOSFET 廠商無錫新潔能和 IGBT 模組廠商嘉興斯達(dá)等為代表的Fab-less企業(yè)。

一直以來，中國作為最大的功率半導(dǎo)體采購國，占據(jù)了全球近4成的需求。尤其近幾年，疫情的發(fā)展，居家辦公帶來的遠(yuǎn)程服務(wù)器的巨量需求，加之雙碳政策推動下，國內(nèi)電動車的高速發(fā)展都在進(jìn)一步刺激我國對功率半導(dǎo)體的需求。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到159億美元，至2024年有望達(dá)到190億美元，復(fù)合增長率為6.1%。

 功率半導(dǎo)體IGBT清洗

為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT模塊。

推薦使用合明科技水基清洗劑，針對電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。