日本把半導(dǎo)體設(shè)備等列入出口管制重點(diǎn)審查
受全球政治地緣關(guān)系、芯片短缺、疫情等綜合因素影響下,最近幾年日本加快了經(jīng)濟(jì)安全方面的立法,加大了對(duì)核心產(chǎn)業(yè)和技術(shù)管制和出口。
4月24日,日本政府追加了外國(guó)人購(gòu)買對(duì)安全保障至關(guān)重要的日本國(guó)內(nèi)企業(yè)股票時(shí)的重點(diǎn)審查對(duì)象(核心行業(yè))。這一新規(guī)增加了半導(dǎo)體制造設(shè)備的制造業(yè)、蓄電池制造業(yè)、肥料進(jìn)口業(yè)等跟9種物資相關(guān)的行業(yè)。
同時(shí),新規(guī)還把機(jī)床和工業(yè)機(jī)器人制造業(yè)、金屬礦物冶煉業(yè)、永久磁鐵制造業(yè)、材料制造業(yè)、金屬3D打印機(jī)制造業(yè)、天然氣批發(fā)業(yè)、船舶部件相關(guān)制造業(yè)列入重點(diǎn)審查對(duì)象。
近日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將修改《外匯及外國(guó)貿(mào)易法》相關(guān)法規(guī),以加強(qiáng)尖端芯片領(lǐng)域的出口管制。日本共同社報(bào)道稱,被限制出口的芯片制造設(shè)備共有6大類23種,涉及芯片的清潔、光刻、蝕刻以及檢測(cè)等。目前,修改后的法規(guī)已開(kāi)始公開(kāi)征集意見(jiàn),預(yù)計(jì)將于2023年7月開(kāi)始實(shí)施。
日本半導(dǎo)體禁令趨嚴(yán)
在保障經(jīng)濟(jì)安全的思路下,2020年日本出臺(tái)了新《外匯法》,旨在加強(qiáng)對(duì)外國(guó)資本投資日本重要行業(yè)的限制。最大的變化是,《外匯法》修訂前規(guī)定,外國(guó)資本如想取得日本安全保障相關(guān)行業(yè)企業(yè)10%以上的股份,需事先申報(bào),接受有關(guān)方面審查,而修訂后,這一門檻降至1%。同時(shí),在董事就任、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)讓和廢止時(shí)也要求提前申報(bào)。
日本政府稱,將追加列入與半導(dǎo)體和蓄電池等9種物資相關(guān)的行業(yè),列入外國(guó)人取得安全保障上重要的日本國(guó)內(nèi)企業(yè)股權(quán)之際的重點(diǎn)審查對(duì)象(關(guān)鍵行業(yè)),以加強(qiáng)對(duì)日本的企業(yè)活動(dòng)和國(guó)民生活不可或缺的物資的監(jiān)管,加強(qiáng)供應(yīng)鏈的確保和防止技術(shù)外流。
實(shí)際上,從3月起日本就一直圍繞告示的修改方案向公眾征求意見(jiàn)。日本政府將修改《外匯法》的相關(guān)告示,從5月24日開(kāi)始執(zhí)行,要求在向制造和進(jìn)口等相關(guān)企業(yè)進(jìn)行投資時(shí)要提前申報(bào)。
由此可見(jiàn),日本這一議題是中美經(jīng)濟(jì)和科技之爭(zhēng)、新冠疫情、半導(dǎo)體短缺等問(wèn)題綜合影響的結(jié)果。在此背景下,日本出臺(tái)了《經(jīng)濟(jì)安全保障推進(jìn)法案》,主要包括四個(gè)部分:一是確保重要物資的穩(wěn)定供給;二是確保公共基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)的穩(wěn)定供給;三是全力支持開(kāi)發(fā)尖端技術(shù);四是對(duì)敏感專利技術(shù)進(jìn)行保密。
但毫無(wú)疑問(wèn),日本在強(qiáng)調(diào)自身經(jīng)濟(jì)安全的同時(shí),也受到美國(guó)政策的左右,將長(zhǎng)期追隨美國(guó)對(duì)包括中國(guó)在內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)行技術(shù)圍堵。
數(shù)據(jù)來(lái)源:日刊新聞
日本政府新增的半導(dǎo)體方向出口管控對(duì)象明細(xì):
清洗設(shè)備 | 半導(dǎo)體前段工藝除去表面異物的清洗設(shè)備 | |
成膜設(shè)備 | 利用等離子旋轉(zhuǎn)晶圓,形成原子級(jí)別膜的設(shè)備 | |
利用EUV光掩膜的成膜設(shè)備 | ||
準(zhǔn)確形成硅膜、硅化合物膜的設(shè)備 | ||
熱處理 | 通過(guò)熱處理,除去薄膜內(nèi)空隙的設(shè)備 | |
曝光 | EUV涂覆、顯影設(shè)備 | |
防護(hù)板(EUV光掩膜方向)產(chǎn)設(shè)備 | ||
ArF液浸式曝光設(shè)備 | ||
蝕刻 | 具有立體結(jié)構(gòu)的最尖端的蝕刻設(shè)備 | |
檢查 | EUV光掩膜檢測(cè)設(shè)備 |
值得一提的是,2022年4月,美國(guó)總統(tǒng)就提出組建“四方芯片聯(lián)盟”,日本也是其極力拉攏的對(duì)象。隨后幾個(gè)月,美國(guó)又與日本、荷蘭在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域達(dá)成“城下之盟”,具體內(nèi)容未知,但隨后日本、荷蘭就加大了半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制。
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