IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。

IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 

IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。    IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS 不間斷電源等設(shè)備上。   

IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見。

半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)發(fā)展方向可歸納為更高的功率密度、開關(guān)頻率，以及更小的導(dǎo)通壓降、開關(guān)損耗、芯片尺寸、模塊體積。據(jù)比亞迪半導(dǎo)體官方發(fā)布，最新推出了 SOT-227 封裝 IGBT / 二極管系列模塊。比亞迪半導(dǎo)體推出的SOT-227封裝IGBT模塊介于單管和模塊之間，M4 螺絲法藍(lán)底板安裝 4 個(gè)引出端口，屬于內(nèi)絕緣封裝的一種，常用來(lái)封裝 IGBT、各類二極管、MOSFET 等。

該產(chǎn)品為比亞迪自主 IGBT 芯片，采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，兼容市場(chǎng)主流尺寸。優(yōu)化 DBC 布局設(shè)計(jì)，降低采樣信號(hào)干擾。封裝體積小，安裝方便?？筛鶕?jù)客戶需求自由搭配拓?fù)潆娐?。?yīng)用領(lǐng)域包括 UPS 電源，變頻、伺服，光伏儲(chǔ)能等。