一、Chiplets有何優(yōu)勢？

AMD采用基于芯片或MCM(多芯片模塊)的方法來設(shè)計處理器。把每個Ryzen CPU看作是多個獨立的處理器，用AMD的話說就是用超級膠水粘在一起。

一個Ryzen CCX具有4核/8核處理器，以及L3緩存。兩個CCX(帶有Zen 3的單個8核CCX)被粘在CCD上以創(chuàng)建一個芯片，這是基于Zen的Ryzen和Epyc cpu的基本構(gòu)建塊。多達8個ccd可以堆疊在單個MCM(多芯片模塊)上，允許消費級Ryzen處理器(如Threadripper 3990X)最多64核。

這種方法有兩大優(yōu)勢。第一個優(yōu)勢是，成本或多或少與核心數(shù)量呈線性關(guān)系。由于AMD的浪費率與其相對于最多能夠創(chuàng)建功能性4核模塊（單個CCX）有關(guān)，因此他們不必丟棄大量有缺陷的CPU。第二個優(yōu)勢來自于它們能夠利用那些有缺陷的CPU本身的能力。英特爾只是將它們淘汰了，而AMD則逐個CCX禁用了功能內(nèi)核，以實現(xiàn)不同的內(nèi)核數(shù)量。

例如，Ryzen 7 5800X和5600X都有一個8核的CCD。后者禁用了兩個核心，使其具有6個功能核心，而不是8個。當(dāng)然，這使得它能夠以比英特爾更有競爭力的價格銷售六核部件。

但是，什么事情都有兩面性，Chiplets方法有一個很大的缺點：延遲。每個晶片都在單獨的物理基板上。由于物理定律，這意味著Ryzen cpu在Infinity Fabric上的通信會產(chǎn)生延遲懲罰。這在第一代Ryzen上最為明顯。因此，Infinity Fabric速度與內(nèi)存時鐘和內(nèi)存超頻相關(guān)，因此可以顯著提高CPU性能。

AMD設(shè)法通過Ryzen 3000 cpu糾正了這一點，然后通過新推出的Ryzen 5000系列進一步改進了這一點。前者引入了一個大型L3緩存緩沖區(qū)，稱為"游戲緩存"。L3緩存是系統(tǒng)內(nèi)存和低級CPU核心緩存(L1和L2)之間的中介。通常情況下，消費級處理器的L3空間很小，例如英特爾的i7 9700K就只有12 MB的L3空間。然而，AMD為3700X配備了32mb的L3內(nèi)存，而3900X配備了64mb的L3內(nèi)存。

L3緩存均勻分布在不同的核之間。增加的緩存量意味著，通過一些智能調(diào)度，內(nèi)核可以緩存更多它們需要的東西。緩沖區(qū)消除了Infinity Fabric帶來的大部分延遲損失。

Ryzen 5000 cpu更進一步，取消了四個核心CCX，取而代之的是八個核心綜合體，每個核心直接連接到CCX/CCD上的其他核心。這改善了核間延遲、緩存延遲和帶寬，并為每個核提供了兩倍的L3緩存，顯著提高了游戲性能。

二、Chiplets，未來潮流？

作為后摩爾時代最關(guān)鍵的技術(shù)之一，Chiplets將滿足特定功能的裸片通過die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)，多個模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片的系統(tǒng)封裝，實現(xiàn)新形式IP復(fù)用。在當(dāng)前技術(shù)進展下，Chiplets方案可實現(xiàn)芯片設(shè)計復(fù)雜度及設(shè)計成本降低，且有利于后續(xù)產(chǎn)品迭代，加速產(chǎn)品上市周期。

在如此明顯的優(yōu)勢之下，Chiplets自然得到了眾多國際巨頭的青睞。作為AMD的老對手，Intel也在2023年發(fā)布了基于Chiplets技術(shù)的第四代至強可擴展處理器和至強CPU Max，以及數(shù)據(jù)中心GPU Max。

據(jù)了解，至強CPU Max擁有56個性能核，內(nèi)核的4個小芯片使用EMIB連接，進行自然語言處理時高帶寬內(nèi)存優(yōu)勢可提升20倍性能。而數(shù)據(jù)中心GPU Max是英特爾針對高性能計算加速設(shè)計的第一款GPU產(chǎn)品，一個封裝中有超過1000億個晶體管，擁有47個不同的塊和高達128GB的內(nèi)存。

在未來的幾年中，我們更可能會看到更多Chiplets方法的使用。這是因為摩爾定律（要求每兩年將處理能力提高一倍）已經(jīng)全面放慢了，單個處理器內(nèi)核的速度不會每兩年提高一倍。

因此，提高性能的唯一方法就是擴展內(nèi)核和堆疊內(nèi)核，才讓近年來硬件圈仍能保持較快的發(fā)展速度。未來對Chiplets的研究，也將繼續(xù)推進下去。

三、Chiplets芯粒-先進芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。