因?yàn)閷?zhuān)業(yè)
所以領(lǐng)先
一、FO 封裝
FO封裝包括三大類(lèi):核心扇出型(core fan-out)、高密度扇出型(high-density fan-out)和超高密度FO型(ultra highdensity FO)。核心扇出封裝消除了對(duì)引線(xiàn)鍵合或倒裝芯片互連的需求,從而提供了改進(jìn)的 I/O 密度、增強(qiáng)的電氣性能和高效的熱管理;高密度 (HD) FO 進(jìn)一步采用了相同的概念,采用先進(jìn)的重新分布層 (RDL) 和互連結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的 I/O 密度;超高密度 (UHD) FO 使用更細(xì)間距和更高密度的多層 RDL,以在緊湊封裝內(nèi)提高組件集成度、更大帶寬和高級(jí)功能。UHD FO 通常應(yīng)用于較大的封裝和多芯片集成,使用 IC 基板來(lái)彌合扇出封裝和印刷電路板 (PCB) 之間的間隙。
二、晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP)
三、fcBGA/CSP
四、2.5D/3D堆疊封裝
五、系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP)
六、先進(jìn)芯片封裝清洗:
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。