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半導(dǎo)體制造材料(2)-光刻膠

合明科技 ?? 2646 Tags:半導(dǎo)體制造材料光刻膠半導(dǎo)體清洗

半導(dǎo)體制造材料(2)-光刻膠

光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。光刻膠是微電子領(lǐng)域之中的一個(gè)細(xì)圖加工最主要的工具,光刻膠在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕涂層材料。近年來經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展,芯片,集成電路等行業(yè)都得到了極大的發(fā)展,而光刻膠作為這些行業(yè)的下游產(chǎn)業(yè)鏈,同樣的迎來了自己的發(fā)展。光刻是半導(dǎo)體前道制程中的關(guān)鍵工藝,光刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)的精度與其中所使用的設(shè)備-光刻機(jī)、材料-光刻膠緊密相關(guān)。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,品種規(guī)格也較多。

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一、光刻原理:

光刻膠在半導(dǎo)體制程中起到了圖形轉(zhuǎn)移的作用。光刻工藝中,在待刻蝕物質(zhì)的表面涂敷光刻膠,光刻膠經(jīng)曝光后,被曝光部分或者未曝光部分在顯影過程中被去除,從而得到所需要的圖形,在此基礎(chǔ)上對物質(zhì)進(jìn)行針對性的刻蝕,最后去除掉光刻膠。在實(shí)際工藝中,為達(dá)到更好的光刻效果,會(huì)在曝光前后以及顯影后對光刻膠進(jìn)行烘焙。

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圖1. 光刻過程

二、光刻膠分類:

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠,其技術(shù)壁壘依次降低。相應(yīng)地,PCB光刻膠是目前國產(chǎn)替代進(jìn)度最快的,顯示光刻膠替代進(jìn)度相對較快,半導(dǎo)體光刻膠目前國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距最大。

PCB光刻膠用于印刷線路板的圖案化工藝,主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠、阻焊油墨。干膜光刻膠是由配置好的液態(tài)光刻膠均勻涂抹在載體PET薄膜上,經(jīng)過烘干、冷卻后,蓋上PE薄膜,收卷而成的薄膜光刻膠。在使用時(shí),將干膜光刻膠壓在覆銅板上,經(jīng)過曝光顯影將電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上。通過后續(xù)對覆銅板刻蝕加工,形成PCB上的線路,主要用于75-100μm制程。濕膜光刻膠又稱為感光線路油墨,分為抗電鍍油墨和抗刻蝕油墨,與干膜工序相似,材料成本比干膜要低,但是加工設(shè)備成本較高,主要用于25-75μm制程。阻焊油墨用于在線路上形成永久的絕緣保護(hù)層,防止在焊錫過程中的短路,保證PCB在運(yùn)輸、存放、使用時(shí)安全性。進(jìn)一步可以細(xì)分為UV固化阻焊油墨和液態(tài)感光阻焊油墨。前者用在對精度要求不高的PCB上,附著力較差;感光阻焊油墨則精密度較高。

顯示光刻膠用于平板顯示、顯示器、LCD彩色濾波片制作等光刻工藝中,使用的光刻膠品種根據(jù)應(yīng)用工藝不同主要分為TFT-Array光刻膠、彩色和黑色光刻膠等。TFT-Array正性光刻膠主要應(yīng)用于TFT-LCD或AMOLED制造中的Array段,包括TFT的圖案化光刻膠,保護(hù)絕緣層光刻膠,ITO圖案化光刻膠,OLED Array中平坦層光刻膠,OLED中PDL像素層光刻膠和Yocta制程光刻膠。彩色濾光片由玻璃基板、黑色矩陣、顏色層、保護(hù)層、ITO導(dǎo)電層等構(gòu)成,用于實(shí)現(xiàn)LCD面板的彩色顯示,彩色光刻膠(RGB)分為紅、綠、藍(lán)三原色光刻膠,經(jīng)過涂抹、曝光、顯影等工序組成了顏色層;黑色光刻膠則用于形成黑色矩陣(Black Matrix),起到防止漏光的作用。

根據(jù)曝光波長的不同,目前市場上應(yīng)用較多的半導(dǎo)體光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV 5 種類型。光刻膠波長越短,加工分辨率越高,不同的集成電路工藝在光刻中對應(yīng)使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進(jìn)步,每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)與之相匹配。g/i 線光刻膠誕生于 20 世紀(jì) 80 年代,當(dāng)時(shí)主流制程工藝在 0.8-1.2μm,適用于波長 436nm 的光刻光源。到了 90 年代,制程進(jìn)步到 0.35-0.5μm,對應(yīng)波長更短的 365nm 光源。當(dāng)制程發(fā)展到 0.35μm 以下時(shí),g/i 線光刻膠已經(jīng)無法制程工藝的需求,于是出現(xiàn)了適用于 248nm波長光源的 KrF 光刻膠,以及193 納米波長光源的 ArF光刻膠,兩者均是深紫外光刻膠。EUV(極紫外光)是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù),適用波長為13.5nm的紫外光,可用于10nm以下的先進(jìn)制程,目前僅有ASML集團(tuán)掌握EUV光刻膠所對應(yīng)的光刻機(jī)技術(shù)。

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表1. 半導(dǎo)體光刻膠的分類及特點(diǎn)


根據(jù)光刻膠在曝光過程中對光線的反應(yīng),可以分為正性光刻膠(正膠)和負(fù)性光刻膠(負(fù)膠)。正性光刻膠在紫外線等曝光源的照射下,將圖形轉(zhuǎn)移至光膠涂層上,受光照射后感光部分將發(fā)生分解反應(yīng),可溶于顯影液,未感光部分不溶于顯影液,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復(fù)制到襯底上。正性光刻膠響應(yīng)波長為330-430納米,膠膜厚為1-3微米。負(fù)性光刻膠在紫外線等曝光源的照射下,將圖形轉(zhuǎn)移至光膠涂層上,在顯影溶液的作用下,負(fù)性光刻膠曝光部分產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)而不溶于顯影液;未曝光部分溶于顯影液,將與掩膜上相反的圖形復(fù)制到襯底上。負(fù)性光刻膠響應(yīng)波長為 330-430 納米,膠膜厚0.3-1微米。正性光刻膠的分辨率更高,無溶脹現(xiàn)象。因此,正性光刻膠的應(yīng)用比負(fù)性光刻膠更為普及。

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圖2. 正性光刻膠和負(fù)性光刻膠


根據(jù)在曝光時(shí)的光化學(xué)反應(yīng)過程的不同,光刻膠可以分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學(xué)放大四種類型。光聚合型是最為初級的材料類型,通過烯類單體在光作用下可產(chǎn)生自由基,生成聚化物的特性,常用于制造正型光刻膠。光分解型光刻膠采用含有重氮醌類化合物材料作為感光劑,光線照射后發(fā)生光分解反應(yīng),由油性變?yōu)樗匀軇?,可制造正性光刻膠。光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯作為光敏材料,光線照射后形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的不溶物,可起到抗蝕作用,適用于制成負(fù)性光刻膠?;瘜W(xué)放大型光刻膠使用光致酸劑作為光引發(fā)劑,光線照射后,曝光區(qū)域的光致酸劑會(huì)產(chǎn)生一種酸,并在后熱烘培工序期間作為催化劑移除樹脂的保護(hù)基團(tuán),使樹脂變得可溶?;瘜W(xué)放大光刻膠對深紫外光源具有良好的光敏性,具有高對比度、分辨率等優(yōu)點(diǎn)。

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圖3. 光聚合型(左上)、光分解型(右上)、光交聯(lián)型(左下)、化學(xué)放大型(右下)

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