晶圓清洗的原理及晶圓級封裝清洗劑介紹

晶圓清洗目的是去除晶圓表面的各種污染物，確保后續(xù)工藝步驟能夠在潔凈的表面上進(jìn)行。晶圓清洗（Wet Clean）是半導(dǎo)體制造工藝中至關(guān)重要的步驟之一。

晶圓清洗的核心原理是通過物理、化學(xué)以及其他方法有效去除晶圓表面的各類污染物，以確保晶圓具有適合后續(xù)加工的潔凈表面。隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性。

晶圓清洗工藝的目標(biāo)包括：

1、去除顆粒物：利用清洗設(shè)備的物理力和清洗劑的化學(xué)力，去除附著在晶圓表面的微小顆粒物。較小的顆粒物由于與晶圓表面之間存在較強(qiáng)的靜電吸附力，去除的難度較大，需要特別處理。

2、去除有機(jī)物：晶圓表面可能附著油脂、光刻膠殘留等有機(jī)污染物，這些污染物通常通過晶圓專用清洗劑來去除。

3、去除金屬離子：金屬離子殘留在晶圓表面可能導(dǎo)致電性能的下降，甚至影響晶圓后續(xù)的制程，因此需要使用特定的晶圓級封裝水基清洗劑進(jìn)行處理。

4、去除氧化物：部分工藝要求晶圓表面沒有氧化物層，如氧化硅等，因此在某些清洗步驟中需要去除自然氧化層。

晶圓清洗技術(shù)的難點(diǎn)在于既要高效去除污染物，又不能對晶圓表面產(chǎn)生不良影響，例如不能引起表面粗糙化、腐蝕或其他物理損傷。

晶圓級封裝清洗劑W3800介紹

晶圓級封裝清洗劑W3800是針對PCBA（印刷線路板組裝）焊后清洗開發(fā)的一款濃縮型環(huán)保水基清洗劑。主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，本品在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

晶圓級封裝清洗劑W3800的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可以應(yīng)用在在線和離線式噴淋清洗設(shè)備中。

2、清洗負(fù)載能力高，可過濾性好，具有超長的使用壽命，維護(hù)成本低。

3、適用于具有高精密、高潔凈要求的精密電子零件的清洗，特別適用于針對細(xì)間距和低底部間隙元器件的清洗應(yīng)用。

4、濃縮型產(chǎn)品應(yīng)用更寬廣，選擇不同的稀釋比例靈活清洗不同殘留。

5、對市場上大多數(shù)種類型的助焊劑和錫膏焊后殘留均具有良好的清洗效果。

晶圓級封裝清洗劑W3800的適用工藝：

W3800水基清洗劑適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

晶圓級封裝清洗劑W3800產(chǎn)品應(yīng)用：

W3800在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，清洗時可根據(jù)PCBA殘留物的狀態(tài)，將本品按一定比例稀釋后再進(jìn)行使用，一般稀釋比例應(yīng)控制在 1:3～1:5。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：