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先進(jìn)封裝之 - 2.5D封裝

發(fā)布日期:2023-05-23 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):6615

先進(jìn)封裝之 - 2.5D封裝

電子集成技術(shù)分為三個層次,芯片上的集成,封裝內(nèi)的集成,PCB板級集成,其代表技術(shù)分別為SoC,SiP和PCB(也可以稱為SoP或者SoB)

芯片上的集成主要以2D為主,晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面;同樣,PCB上的集成也是以2D為主,電子元器件平鋪安裝在PCB表面,因此,二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成,情況就要復(fù)雜的多。

電子集成技術(shù)分類的兩個重要判據(jù):1.物理結(jié)構(gòu),2.電氣連接(電氣互連)。

目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。今天小編給大家?guī)淼氖?.5D封裝,希望能對大家有所幫助!

先進(jìn)封裝.jpg

2.5D封裝:

2.5D封裝通常是指既有2D的特點,又有部分3D的特點,其中的代表技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺積電的CoWoS、三星的I-Cube。

物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均XY平面上方,至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上(Interposer),在XY平面的上方有中介層的布線和過孔,在XY平面的下方有基板的布線和過孔。

電氣連接:中介層(Interposer)可提供位于中介層上的芯片的電氣連接。

2.5D集成的關(guān)鍵在于中介層Interposer,一般會有幾種情況,1)中介層是否采用硅轉(zhuǎn)接板,2)中介層是否采用TSV,3)采用其他類型的材質(zhì)的轉(zhuǎn)接板;在硅轉(zhuǎn)接板上,我們將穿越中介層的過孔稱之為TSV,對于玻璃轉(zhuǎn)接板,我們稱之為TGV

所謂的TSV 指的是:

2.5D封裝.jpg

硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術(shù),芯片通常通過MicroBump和中介層相連接,作為中介層的硅基板采用Bump和基板相連,硅基板表面通過RDL布線,TSV作為硅基板上下表面電氣連接的通道,這種2.5D集成適合芯片規(guī)模比較大,引腳密度高的情況,芯片一般以FlipChip形式安裝在硅基板上。

有TSV的2.5D集成示意圖:

2.5D封裝1.jpg

硅中介層無TSV的2.5D集成的結(jié)構(gòu)一般如下圖所示,有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上,該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire或者Flip Chip兩種方式,大芯片上方由于面積較大,可以安裝多個較小的裸芯片,但小芯片無法直接連接到基板,所以需要插入一塊中介層(Interposer),在中介層上方安裝多個裸芯片,中介層上有RDL布線,可將芯片的信號引出到中介層的邊沿,然后通過Bond Wire連接到基板。這類中介層通常不需要TSV,只需要通過Interposer上表面的布線進(jìn)行電氣互連,Interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。

無TSV的2.5D集成示意圖:

2.5D封裝2.jpg

英特爾的EMIB:

概念與2.5D封裝類似,但與傳統(tǒng)2.5D封裝的區(qū)別在于沒有TSV。也正是這個原因,EMIB技術(shù)具有正常的封裝良率、無需額外工藝和設(shè)計簡單等優(yōu)點。

2.5D封裝3.jpg

臺積電的CoWoS技術(shù)

臺積電的CoWoS技術(shù)也是一種2.5D封裝技術(shù)。根據(jù)中介層的不同可以分為三類,一種是CoWoS_S使用Si襯底作為中介層,另一種是CoWoS_R使用RDL作為中介層,第三種是CoWoS_L使用小芯片(Chiplet)和RDL作為中介層。

2.5D封裝4.jpg

臺積電InFO(2D)與CoWoS(2.5D)之間的區(qū)別在于,CoWoS針對高端市場,連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大;InFO針對性價比市場,封裝尺寸較小,連線數(shù)量也比較少。

第一代CoWoS主要用于大型FPGA。CoWoS-1的中介層芯片面積高達(dá)約800mm?,非常接近掩模版限制。第二代CoWoS通過掩模拼接顯著增加了中介層尺寸。臺積電最初符合1200mm?的要求,此后將中介層尺寸增加到1700mm?。這些大型封裝稱為CoWoS-XL2。

最近,臺積電公布的第五代CoWoS-S的晶體管數(shù)量將增加20倍,中介層面積也會提升3倍。第五代封裝技術(shù)還將封裝8個128G的HBM2e內(nèi)存和2顆大型SoC內(nèi)核。

長電科技XDFOI技術(shù):

2.5D封裝5.jpg

相較于2.5D TSV封裝技術(shù),具備更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性。該解決方案在線寬或線距可達(dá)到2um的同時,可實現(xiàn)多層布線層,另外,采用了極窄節(jié)距凸塊互聯(lián)技術(shù),封裝尺寸大,可集成多顆芯片、高帶寬內(nèi)存和無源器件。

三星的I-Cube

三星的具有的先進(jìn)封裝包括I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube四種方案。其中,三星的I-Cube同樣也屬于2.5D封裝。

2.5D封裝6.jpg

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